本站6月7日消息，据BenchLife.info和Tom'sHardware报道，SK海力士携手HLDS，在2024台北国际电脑展上推出了合作打造的消费级存储品牌SuperMulti。HLDS即日立乐金数据储存公司，是日立和LG电子合资的一家光存储企业，也拥有显示器和传感器领域的业务。该公司已与SK海力士签订全球经销合作协议。这并非HLDS的两家股东第一次使用SuperMulti品牌，LG电子以往就推出过名为SuperMulti的多格式DVD刻录机。SK海力士此前在消费级零售存储领域仅推出过寥寥

本站5月14日消息，据韩媒Hankyung报道，两大存储巨头SK海力士、三星电子在出席本月早前举行的投资者活动时表示，整体DRAM生产线中已有两成用于HBM内存的生产。相较于通用DRAM，HBM内存坐拥更高单价，不过由于TSV工艺良率不佳等原因，对晶圆的消耗量是传统内存的两倍乃至三倍。内存企业唯有提升产线占比才能满足不断成长的HBM需求。正是在这种“产能占用”的背景下，三星电子代表预计，不仅HBM内存，通用DRAM（如标准DDR5）的价格年内也不会下降。SK海力士再次确认，根据截至今年底的生产能

本站5月14日消息，SK海力士在2024年度IEEEIMW国际存储研讨会上不仅分享了HBM4E内存开发周期将缩短到一年的预期，也介绍了该内存的更多细节。SK海力士技术人员KimKwiWook表示，这家企业计划使用1cnm制程的32GbDRAM裸片构建HBM4E内存。▲SK海力士HBM3E内存背面图事实上，三大内存厂商目前均尚未量产1cnm（第六代10+nm级）制程的DRAM内存颗粒。本站此前曾报道，三星电子、SK海力士的首批1cnmDRAM预计将于今年实现量产，美光方面稍晚，要等到明年。新一代颗

本站5月13日消息，据台媒《经济日报》报道，SK海力士、三星电子，将从下半年停止向市场供应DDR3内存，带动近期DDR3DRAM价格上涨，最高涨幅达两成。DDR3目前已成为利基产品，在机顶盒、Wi-Fi路由器、交换机、显示器等领域仍有应用。台媒在报道中称，三星电子已向客户通知本季度末停止供应DDR3；而SK海力士已于去年底完成无锡晶圆厂的产能转换，逐步淡出了DDR3的制造。另一家DRAM内存大厂美光，虽然仍未对DDR3内存实施停产，但也大幅缩减了供应量。三家主流内存企业之所以不同程度地放弃DDR

本站4月25日消息，据韩媒NEWSIS报道，SK海力士在今日的2024年一季度财报电话会议上表示将在年内推出1bnm32GbDDR5内存颗粒。32Gb颗粒意味着消费级的UDIMM和SODIMM可实现64GB单条容量；企业级的RDIMM更是可以在不使用硅通孔工艺3D堆叠的情况下，达到单模组128GB，满足服务器对大内存的需求。SK海力士于2023年5月宣布完成其1bnm内存的开发。该制程采用了HKMG技术，可降低漏电，改善电容性能，进而降低功耗。参考本站以往报道，目前三星电子和美光均已官宣32Gb

本站4月9日消息，据韩媒Businesskorea报道，SK海力士、三星电子有望于年内先后启动1c纳米DRAM内存的量产。进入20~10nm制程后，一般以1+字母的形式称呼内存世代，1cnm即对应美光的1-gammanm表述，为第六个10+nm制程世代。三星方面称呼上一世代1bnm为“12nm级”。三星近期在行业会议Memcon2024上表示，其计划在今年年底前实现1cnm制程的量产；而近日据行业消息人士透露，SK海力士内部已制定在三季度量产1cnmDRAM内存的路线图。SK海力士计划提前做好准

本站3月21日消息，三星在GTC2024展会上展示了其即将推出的28Gbps和32GbpsGDDR7显存，而海力士更进一步，该公司正在研发速度更快的显存模组。据HardwareLuxx报道，三星此前宣称正在研发37Gbps的GDDR7显存，这是目前已知速度最快的此类显存。而海力士则将目标定在了更高的40Gbps，这或将成为其整个G7系列显存的性能目标。本站注意到，新一代GDDR7内存还将提供更高的容量选择，本次展示的版本包括16Gb和24Gb的款式(分别对应2GB和3GB的显存容量)。根据JED

本站3月5日消息，据日媒《时事通信社》消息，铠侠、SK海力士双方正就在日生产HBM内存进行接洽。本站注意到，上月也曾有类似消息传出，不过当时提到的合作内容是非易失性存储器，也就是NAND闪存。目前，HBM内存作为AI半导体领域的热点之一，供不应求的局面日益凸显。以SK海力士为例，他们计划从2023年第二季度的每月35,000片提升至年底的12-14万片，但即使如此，今年的HBM配额早已售罄。扩大在日本的产能将有助于SK海力士满足市场需求，从而缓解当前的供需紧张状态。据报道，双方计划利用铠侠在日本

本站3月4日消息，据韩媒DealSite报道，SK海力士、三星电子今年针对HBM内存大幅扩产。不过HBM内存有着良率较低等问题，难以跟上AI市场相关需求。作为AI半导体市场抢手货的HBM内存，其采用晶圆级封装（WLP）：在基础晶圆上通过TSV硅通孔连接多层DRAM内存晶圆，其中一层DRAM出现问题就意味着整个HBM堆栈的报废。▲HBM内存结构示意图。图源SK海力士以8层堆叠产品为例，如果每一次堆叠的良率均为90%，那整体HBM堆栈的良率就仅有43%，超一半DRAM被丢弃。而当HBM进入到12层乃

SK海力士在本站12月24日发布了年度AI内存总结，并宣布计划在2024年启动HBM4的研发，并推动CXL内存的商业化量产工作▲SK海力士2023年8月发布的HBM3E产品SK海力士GSM团队的负责人王秀表示：“明年我们公司将开始量产和销售HBM3E，这将进一步巩固我们在市场上的领先地位。”他还说到：“我们计划全面开发后续产品HBM4，因此明年将代表SK海力士进入一个全新阶段。这将是我们值得庆祝的一年。”他表示，随着人工智能产业的快速发展，高带宽内存（HBM）产品将超越目前仅限于人工智能服务器的

本站1月15日消息，据SK海力士透露，全新CAMM内存标准正计划向台式机领域进军。CAMM是一种新型内存标准，相比传统DRAM模块更加小巧紧凑，并支持更大的容量。该标准已经发展到第二代，即应用于笔记本电脑和轻薄型PC的LPCAMM2。LP代表低功耗，现有模块基于LPDDR5或LPDDR5X标准，提供高达9.6Gbps的传输速度。在CES2024上，博主ITSublssub访问了SK海力士展台，该公司代表确认CAMM标准将进军台式机平台，首款桌面平台CAMM产品也已在研发中，但暂未透露具体细节。爆

据韩媒ETNews报道，三星和SK海力士计划在2024年增加半导体设备投资三星计划投资27万亿韩元（本站备注：当前约1482.3亿元人民币），比2023年投资预算增加25%；而SK海力士计划投资5.3万亿韩元（当前约290.97亿元人民币），比今年的投资额增长100%。报道中提到，三星和SK海力士不仅增加了半导体设备的投资，而且还提高了2024年的产能目标据报道，三星计划将DRAM和NAND闪存的产量提高24%，而SK海力士的目标是在2022年年底前将DRAM产能提高到相同水平根据集邦咨询公布的

本站11月28日消息，根据韩媒BusinessKorea报道，SK海力士计划明年发布“2.5Dfan-out”集成存储芯片封装方案，实现两个芯片之间的端到端连接。封装方案是将两个DRAM芯片水平并排放置，并将它们组合成一个芯片。这种方案的优势在于芯片下方没有添加基板，使得成品微电路更加薄本站援引该韩媒报道，台积电自2016年以来一直使用类似的安排来集成不同的芯片，并应用于苹果的处理器生产中，不过存储厂商此前并未关注过这项技术。HBM型存储芯片的垂直集成固然可以显著增加接口带宽，但成本高昂，而SK

根据SK海力士最新财报的显示，Solidigm（原为英特尔的NAND业务，于2021年被SK海力士收购）在第三季度的亏损远远超出了市场的预期，可以说目前已经全面陷入亏损状态该公司去年全年累计亏损约为3.3万亿韩元（当前约183.48亿元人民币），但今年仅前三季度累计亏损额已经达到3.67万亿韩元（本站备注：当前约204.19亿元人民币）。SK海力士于2021年斥资90亿美元（当前约652.5亿元人民币）收购了英特尔NAND业务，后来改名Solidigm，而它在这两年内累计亏损总计8.7万亿韩元（

本站10月25日消息，SK海力士今日在官网宣布，公司开始推进“LPDDR5T（LowPowerDoubleDataRate5Turbo）DRAM”的商用化，其目前移动DRAM中可实现9.6Gbps（每秒9.6千兆）最高速度。SK海力士表示，最近获得了将LPDDR5TDRAM适用于美国高通技术公司最新第三代骁龙8移动平台的业内首次认证。SK海力士表示，自从今年1月份开发出LPDDR5TDRAM以来，他们与高通展开了兼容性验证合作。两家公司在结合LPDDR5TDRAM和高通最新的第三代骁龙8移动平台

本站消息，SK海力士于今年8月宣布成功开发出全球最高规格的HBM3E内存，并计划从明年上半年开始大规模生产。目前，该公司已经向客户提供样品进行性能验证据MT.co.kr报道，继第4代产品HBM3之后，SK海力士将向NVIDIA独家供应第五代高带宽内存HBM3E，此举有望进一步巩固其作为AI半导体公司的地位。据半导体业界15日消息，SK海力士将于明年初向NVIDIA提供满足量产质量要求的HBM3E内存，并开展最终的资格测试。一位半导体行业高管表示，“没有HBM3E，NVIDIA就无法销售B100”