10月19日，存储产业正面临一场史无前例的全面性缺货风暴。威刚科技董事长陈立白近日表示，公司旗下DDR4、DDR5、NANDFlash以及HDD四大核心产品线首次同时陷入供应紧张局面。尽管已备有高达数百亿元新台币的库存，但从10月起仍不得不实施限量销售政策，优先确保关键客户的需求。此次抢货潮的主角并非传统存储模组厂商或渠道商，而是来自资金实力雄厚的CSP（云服务提供商）巨头及OpenAI等前沿AI企业。据陈立白透露，这些企业的订单均为自用性质，属于刚性需求，并无转售意图。这使得三大存储原厂在接到

​为您的电脑挑选合适的内存条是提升整体性能的关键一步。面对市场上琳琅满目的品牌，选择可能变得困难。本文为您整理了2025年最值得关注的内存条品牌排行榜，帮助您清晰地了解各大品牌的特点，为您的设备升级或新机配置提供有力参考。

10月18日消息，最近发布的新一代安卓旗舰普遍用上了高速LPDDR5X内存，明年应该会进入LPDDR6时代了，速度冲上10Gbps，三星的首款LPDDR6内存已经在路上了。根据三星的说法，该公司首款LPDDR6内存的引脚速度可达10.7Gbps，带宽将达到114.1GB/s，这下真的是PC级内存速度了。作为对比的是，LPDDR5起步为6400Mbps，LPDDR5X提升至8533Mpbs，SK海力士自己做的LPDDR5T则能跑到9600Mbps。三星首款LPDDR6内存的速率并不算夸张，虽然7月

10月15日消息，高性能AI计算不仅需要极强的GPU性能，内存带宽也逐渐成为瓶颈，HBM内存已经是必需品，明年会进入HBM4时代，再下一代则是HBM4e。三星在HBM3、HBM3e时代都落后给了SK海力士，但从HBM4开始加速追赶，计划在HBM4e时代实现反超。为此，三星宣布将于2027年推出其新一代HBM4e内存，规格表现极为亮眼。三星的HBM4e内存单引脚数据传输速率将至少达到13Gbps，在2048bit位宽下实现高达3.25TB/s的内存带宽，相较此前规划提升了25%。作为对比，HBM4

10月13日消息，今年内存市场出现了一个罕见的价格倒挂现象：本应逐步退出市场的DDR4内存价格持续走高，甚至超过了更新一代的DDR5内存。这一反常情况背后有多重原因。一方面，三星、SK海力士及美光三大原厂正加速向DDR5和HBM（高带宽存储器）等高利润产品转型，陆续缩减乃至计划停产DDR4产能，推动其生产重心转移至先进制程与高附加值产品线。另一方面，尽管DDR4被视为上一代技术，但在工控、安防、嵌入式系统及部分服务器领域仍存在强劲的“刚性需求”，下游客户因产品生命周期和认证成本难以快速切换，导致

近期，DRAM市场因供需关系持续紧张，推动内存价格不断攀升。数据显示，用于智能手机、PC及数据中心服务器的DRAM价格已连续六个月上涨。这一涨势主要源于市场对DRAM大厂停产或减产标志性产品的预期，供应端收缩加剧了整体紧缺局面。2025年9月，主流产品DDR48Gb的批发价（大宗交易）约为每颗4.54美元，而容量为4Gb的产品价格约达3.46美元，两者环比均上涨3%，并连续第六个月实现增长。同期，DDR5的批发价格也上升了约3%。有渠道商预测：“10月份DDR4和DDR5的价格涨幅可能进一步扩大

10月10日消息，NVIDIA在AI显卡市场的主导地位此前助推SK海力士凭借HBM3系列显存占据领先地位，成功超越三星成为全球最大的内存供应商。如今局势或将逆转，三星迎来了重大机遇。近日OpenAI宣布与AMD达成合作协议，计划部署总计6GW的GPU算力，其中2026年就将率先部署1GW，这正是基于AMD即将推出的MI450系列AI加速卡。今年年中，AMD正式发布了MI450系列显卡，其FP8/FP6和FP4精度下的性能分别达到20PFlops（每秒2亿亿次）和40PFlops（每秒4亿亿次），

10月5日，随着人工智能数据中心的迅猛发展，群联电子董事长潘健成在近期接受采访时发出预警：预计2026年将爆发的NAND闪存供应短缺，可能将持续长达十年之久。他在采访中不仅重申，更进一步上调了市场对“存储超级周期”的预估。他明确表示：“明年NAND将面临严重供不应求，我判断未来十年整体供应都将处于紧张状态。”潘健成分析指出，过去每当闪存制造商加大投资扩产，市场便迅速饱和，价格应声暴跌，导致资本难以回收。正因如此，自2019至2020年起，行业整体开始缩减资本开支。到了2023年，美光与SK海力士

10月1日消息，目前全球DRAM内存芯片市场仅由三星、SK海力士与美光三大厂商主导，而在其下游的内存模组领域，竞争格局更为集中，头部品牌几乎形成“垄断”之势，一家独占高达66%的市场份额，其余厂商则远远落后。根据调研机构TrendForce发布的2024年全球内存模组市场报告，该年度整体营收达到133亿美元，同比增长7%，成功止住前一年的下滑颓势，迎来复苏。从品牌市占率来看，金士顿再次稳居榜首，以66%的绝对优势遥遥领先，堪称行业“巨无霸”，其市场统治力之强，堪比GPU领域中的NVIDIA。其他

在半导体制造领域，工艺节点越先进，对光刻设备的要求也越高。尤其是5nm及以下制程的量产，几乎完全依赖EUV（极紫外）光刻机。目前全球范围内仅有ASML能够提供此类高端设备，因此台积电、三星、Intel等头部厂商均需向其采购。那么，在这些行业巨头中，谁掌握的EUV光刻机数量最多？调研机构BOFA发布的数据显示了从2021年至2025年的EUV光刻机分布情况：作为全球最大的晶圆代工企业，并且长期领跑先进制程的量产进度，台积电近年来一直是EUV设备的最大买家。除2024年仅引进10台外，其余年份平均每

芝奇TridentZ5RGBF5-6400J3239G32GX2-TZ5RK套装凭借DDR5-6400高频与CL32低时序，结合出色兼容性及炫酷RGB灯效，成为高端平台理想之选，适用于游戏、创作及AI等高性能需求场景。

NAND闪存市场正迎来由AI需求引爆的超级周期，2026年价格预计上涨35%。当前，供需格局发生剧变，价格飙升通道已然开启。大摩预测，2025年第四季度NAND合约价将逼近双位数涨幅，2026年上半年混合价格有望再涨15-20%。部分供应商已暂停2026年报价，等待产能分配明确。供应端出现罕见紧张局面。三星、SK海力士、美光等全球存储巨头纷纷宣布停产DDR4，转而将资源集中于高端产品线，导致传统存储市场供给出现空缺。5月DDR4单月涨幅高达53%，创下2017年以来最大增幅，“有钱没货”现象频现

9月25日消息，近期内存涨价引发广泛关注，三星、SK海力士及美光已陆续发出调价通知，涨幅普遍在20%-30%之间。本轮内存芯片价格上涨的主要驱动力是AI需求的爆发，特别是HBM（高带宽内存）对产能的大量占用。相比之下，PC和手机市场的需求并未明显增长，甚至可能出现下滑。然而，内存芯片涨价的影响并不仅限于AI领域，各类消费电子产品均受到波及。除了内存条和智能手机外，显卡也面临冲击，原因在于GDDR6与GDDR7显存芯片正遭遇供应紧张的局面。NVIDIA的RTX系列显卡预计将受到影响，尤其是推迟至明

9月25日，随着AI对存储需求的迅猛增长，SSD在数据中心中的发热量问题日益突出。Solidigm正式推出全球首款配备液冷冷板的服务器级SSD——基于此前发布的D7-PS1010E1.S升级而来，专为未来无风扇服务器架构设计。D7-PS1010是Solidigm首款支持PCIe5.0的固态硬盘，首次采用电荷捕获技术的TLC3DNAND闪存，搭载SK海力士176层堆叠颗粒，提供最高15.36TB或12.8TB容量版本，支持E3.S、E1.S和U.2三种外形规格。其性能表现强劲，顺序读取和写入速度分

9月25日，TrendForce集邦咨询发布的最新研究报告指出，全球三大DRAM巨头——三星、SK海力士与美光正加速将产能转向服务器用DDR5及HBM（高带宽内存），这一战略调整或将推动PCDRAM价格在2025年第四季度继续攀升。受云计算服务提供商（CSPs）大规模扩建数据中心的驱动，服务器市场对高性能内存的需求持续旺盛。为此，主要厂商纷纷优先保障服务器DRAM和HBM的生产排程，导致消费级DRAM产能被压缩。在此背景下，PC、移动设备及其他消费类应用的DRAM供应面临紧张局面。TrendFo

内存时序下限取决于颗粒体质、CPU内存控制器及散热，技嘉Z790AORUSMASTER提供DDR5-8000+MHz支持、优质供电与完整BIOS调校，助力高频低时序超频，实际表现需结合XMP启用、频率提升、时序收紧与电压微调，最终稳定性由平台整体决定。