本站9月24日消息，SK海力士昨日宣布其已成功将用于优化CXL内存运行的自研软件HMSDK（本站注：异构存储器软件开发套件）主要功能在Linux操作系统上运行。该软件可根据传统内存与CXL内存的差异灵活分配存储资源。SK海力士宣称，即使不调整现有应用程序，HMSDK也可提高至少30%内存整体带宽。此外该软件还具备“基于访问频率的优化”功能，可将高频使用数据迁移至快速内存，从而提升12%系统性能。随着下半年首批支持CXL2.0的服务器CPU问世，CXL有望正式进入商业化阶段。SK海力士正为此对96

本站9月12日消息，韩媒TheElec当地时间本月4日报道称，SK海力士未来将在HBM领域采取质量优先的整体策略，专注于尖端HBM内存的开发与量产，而传统HBM产品则将被逐步淘汰。在三星电子计划把HBM内存的组装检测工艺外包给控股子公司STeco的同时，SK海力士仍计划自行内部解决HBM生产的全部工序，在进一步提升HBM内存产能上较为保守。▲SK海力士利川厂区不过，SK海力士仍计划将位于利川的M10F小型工厂（目前生产DRAM产品）转移到HBM生产上来，以提升HBM3E供应能力。韩媒表示，SK海

本站9月12日消息，SK海力士昨日宣布成功开发适用于数据中心的PEB110E1.S高性能企业级固态硬盘，并表示其基于238层V8NAND闪存、支持PCIe5.0、兼容OCP2.5、可提供2/4/8TB三种容量版本。而SK海力士在油管平台的宣传片中介绍了PEB110固态硬盘8TB容量版本的具体性能参数与能效表现：在顺序读写操作速率方面，PEB1108TB可实现13850MB/s的顺序读取和8200MB/s的顺序写入，分别较自家上代PCIe4.0接口EDSFFE1.S企业级固态PE9010同等容量版

本站9月11日消息，SK海力士（SKhynix）昨日（9月10日）发布新闻稿，宣布成功开发适用于数据中心的高性能固态硬盘PEB110E1.S（以下简称PEB110）。PEB110简介PEB110采用第五代PCIe，带宽比现有第四代(Gen4)高一倍，数据传输速度达到了32GT/s（千兆传输/秒），由此性能较上一代产品提高1倍，能效提升30%以上。SK海力士针对该产品开发出了三种容量版本：2TB（太字节）、4TB和8TB，并支持OCP2.5版本，以提高全球数据中心的兼容性。信息安全SK海力士首次将

本站9月9日消息，《韩国经济日报》当地时间本月3日报道称，由于QLC企业级固态硬盘销售状况良好，SK海力士旗下Solidigm的中国大连晶圆厂将在一段时间内延续FG（本站注：浮动栅极，FloatingGate）NAND闪存工艺，并获得新的设备投资。Solidigm大连晶圆厂随英特尔NAND闪存与固态硬盘业务一同加入SK海力士，目前主要生产192层FG结构NAND闪存，贡献SK海力士整体闪存生产能力的约三成。▲基于192层FGQLCNAND的SolidigmD5-P5336固态硬盘一个NAND单元

本站9月3日消息，韩媒etnews当地时间昨日报道称，三星电子和SK海力士的“类HBM式”堆叠结构移动内存产品将在2026年后实现商业化。消息人士表示这两大韩国内存巨头将堆叠式移动内存视为未来重要收入来源，计划将“类HBM内存”扩展到智能手机、平板电脑和笔记本电脑中，为端侧AI提供动力。综合本站此前报道，三星电子的此类产品叫做LPWideI/O内存，SK海力士则将这方面技术称为VFO。两家企业使用了大致相同的技术路线，即将扇出封装和垂直通道结合在一起。三星电子的LPWideI/O内存位宽达512

本站8月20日消息，据韩媒MK报道，SK海力士负责HBM内存业务的副总裁RyuSeong-soo当地时间昨日在SK集团2024年度利川论坛上表示，M7科技巨头都表达了希望SK海力士为其开发定制HBM产品的意向。本站注：M7即Magnificent7，指美股七大科技巨头苹果、微软、Alphabet（谷歌）、特斯拉、英伟达、亚马逊以及Meta。RyuSeong-soo提到其在周末仍不断工作，与M7企业进行电话沟通，并为满足这些企业的需求四处奔波以整合SK海力士内部和韩国各地供应链企业的工程资源。这位

本站8月19日消息，据韩媒ZDNetKorea报道，SK海力士EUV材料技术人员当地时间本月12日出席技术会议时向媒体表示，该企业计划于2026年首次导入ASML的HighNAEUV光刻机。SK海力士的一位工程师表示该公司新近成立了一个HighNAEUV研发团队，正致力于将HighNAEUV光刻技术应用到最先进DRAM内存的生产上。综合本站已有报道，在几大先进逻辑制程与存储半导体企业中，英特尔：已率先拿下了全球第一台商用HighNAEUV光刻机第二台HighNA机台已在运至俄勒冈州研发晶圆厂的途

本站8月14日消息，综合韩媒《首尔经济日报》（上月29日）《朝鲜日报》（本月13日）报道，SK海力士已向上游设备企业订购关键设备，目标提升M16晶圆厂的HBM和通用DRAM内存产能。本站注：SK海力士M16晶圆厂位于韩国京畿道利川市，目前拥有每月约10万片12英寸晶圆的DRAM产能。▲SK海力士利川园区两家韩媒对具体扩产幅度的报道略有差异：《首尔经济日报》认为是至少每月7万片晶圆，也提到了每月8万片；《朝鲜日报》则认为是每月8万~10万片晶圆。分析机构Omdia此前预估，SK海力士DRAM内存产

8月9日消息，在FMS2024峰会上，SK海力士展示了其最新的存储产品，包括尚未正式发布规范的UFS4.1通用闪存。据JEDEC固态技术协会官网信息，目前公布的最新UFS规范是2022年8月的UFS4.0，其理论接口速度高达46.4Gbps，预计UFS4.1将在传输速率上实现进一步的提升。1.海力士展示了512GB和1TBUFS4.1通用闪存产品，基于321层V91TbTLCNAND闪存。SK海力士还展出了3.2GbpsV92TbQLC和3.6GbpsV9H1TbTLC颗粒。海力士展示了基于V7

本站8月9日消息，根据SK海力士当地时间昨日发布的新闻稿，该企业在FMS2024峰会上展示了系列存储新品，其中就包括尚未正式发布规范的USF4.1通用闪存。根据JEDEC固态技术协会官网，目前已公布的最新UFS规范是2022年8月的UFS4.0。UFS4.0指定了每个设备至高46.4Gbps的理论接口速度，预计USF4.1将在传输速率方面进一步提升。▲JEDECUFS规范页面SK海力士此次展示了两款UFS4.1通用闪存，容量分别为512GB和1TB，均基于321层堆叠的V91TbTLCNAND闪

本站8月7日消息，Solidigm当地时间6日宣布推出新一代D7级别数据中心固态硬盘D7-PS1010、D7-PS1030。这两个固态硬盘系列均支持PCIe5.0，基于SK海力士176层3DTLCNAND闪存。D7-PS1010属于标准耐用性（1DWPD）型号，提供1.92TB、3.84TB、7.68TB、15.36TB四种容量。对应到5年质保期，最大容量的15.36TB版本写入量可达28PBW。而D7-PS1030为3DWPD的中等耐用性（Mid-endurance）型号，提供1.6TB、3.

本站6月24日消息，韩媒BusinessKorea报道，业内人士透露SK海力士在6月16至20日在美国夏威夷举行的VLSI2024峰会上发表了有关3DDRAM技术的最新研究论文。在这篇论文中，SK海力士报告其五层堆叠的3DDRAM内存良率已达56.1%，实验中的3DDRAM展现出与目前2DDRAM相似的特性。据介绍，与传统的DRAM水平排列内存单元不同，3DDRAM垂直堆叠单元，可以在相同空间内实现更高的密度。不过，SK海力士指出，与

本站6月19日消息，韩媒ETNews援引业内人士的话称，韩国两大存储巨头三星电子和SK海力士目前的通用DRAM内存产能利用率维持在80~90%水平。韩媒宣称，这一情况同主要企业已实现生产正常化的NAND闪存产业形成鲜明对比：除铠侠外，三星电子和SK海力士也已于本季度实现NAND产线满负荷运行。据报道，目前通用DRAM（本站注：即常规DDR、LPDDR）需求整体萎靡，市场仍呈现大于求的局面，是下游传统服务器、智能手机和PC产业复苏缓慢导致的。▲三星电子1bnm32GbDDR5内存，属于通用DRAM

本站6月19日消息，SK海力士在6月17至20日于美国拉斯维加斯举行的HPEDiscover2024展会上展示了最新的AI内存解决方案。面向AI市场，SK海力士展出了HBM3E内存样品与CXL内存模块CMM-DDR5，与仅配备DDR5DRAM的系统相比，CMM-DDR5能够将系统带宽最多提升50%，容量最多提升100%。此外，该公司还展示了用于服务器的DDR5RDIMM、MCRDIMM内存，及用于笔记本电脑的LPCAMM2内存模组。本站注意到，SK海力士最新的企业级固态硬盘也一同参与了展出，包括

本站6月17日消息，据韩媒TheElec报道，SK海力士计划大幅增加1bnm制程DRAM内存产能，以满足HBM3E内存需求。HBM内存对DRAM裸片的消耗远高于标准内存，因此SK海力士进一步扩张1bnm制程DRAM产能在一定程度上有助于缓解HBM内存目前的紧缺。SK海力士目标到今年年底将1bnm内存晶圆投片量增至9万片，明年上半年进一步增加到14~15万片。为此SK海力士计划将其位于京畿道利川市的M16内存晶圆厂升级至1bnm工艺。M16目前生产1ynmDRAM内存。如果完全转产至1bnm，预计