9月24日，内存价格涨势凶猛，三星、SK海力士与美光三大存储厂商已全面启动涨价策略。其中，美光的调涨幅度尤为显著，普遍产品提价20%至30%，而车用及工业级内存更可能迎来高达70%的价格上调。在近期举行的财报会议上，美光对当前内存市场的供需格局进行了分析。公司首席商务官SumitSadana指出，客户正面临极为严峻的内存芯片短缺问题。他进一步表示，随着供应紧张局面持续，公司已实现利润率的显著提升。财务数据显示，美光在2024财年第四季度实现营收113.2亿美元，同比增长46%；全年总营收达374

9月23日，存储芯片价格上调趋势进一步明朗，继美光与三星率先行动后，SK海力士也已加入涨价行列。尽管公司尚未正式发布公告，但市场消息指出，SK海力士正与客户就价格调整展开协商。从此前行业动态来看，美光率先启动调价，宣布暂停报价一周，并将产品价格上调20%至30%，其中车用及工业级内存涨幅或高达70%。紧随其后，三星传出将对第四季度的LPDDR4X、LPDDR5/5X等DRAM产品提价15%至30%，NAND闪存方面，eMMC与UFS合同价预计上调5%至10%，涨幅相对温和。SK海力士此次计划同步

9月22日，作为目前全球唯一能够供应EUV光刻机的企业，ASML在过去两三年中业绩承受了一定压力。然而形势正在发生转变，其业绩即将迎来强劲增长。近日，摩根士丹利将ASML的股票评级上调至“买入”，主要基于公司盈利能力的增强以及预计从明年起开启的行业周期性复苏。该机构更是将目标价由原先的600欧元大幅提升至950欧元，意味着股价相较当前水平仍有超过20%的上升空间。据该行分析师预测，到2027年，ASML的每股收益有望达到33欧元，超出市场普遍预期8%，其中增长动力主要来自存储芯片市场的快速回暖与

继美光宣布计划对DDR4和DDR5内存产品提价20%至30%后，三星也被曝出将在第四季度跟进涨价，预计涨幅达15%至30%。据知情人士透露，三星已向其主要客户发出通知，2025年第四季度内，DRAM产品中的LPDDR4X、LPDDR5及LPDDR5X协议价格将上调15%以上，最高或达30%。与此同时，NAND闪存类产品如eMMC和UFS的协议价也将迎来5%至10%的上涨。更引人关注的是，随着三星逐步缩减传统产品线，DDR4相关产能正加速退出，预计到2026年，其产能将锐减至2025年的仅20%，

9月21日消息，在HBM内存市场上，曾经的行业领头羊三星一度落后于SK海力士和美光，成为第三家实现量产的企业。然而，面对HBM4这一关键节点，三星展现出强烈的反攻决心。最新消息显示，三星的HBM3e产品在历经18个月的量产周期后，终于获得了NVIDIA的认证。此前已取得AMD的认可，这意味着其正式具备了向两大AI芯片巨头供货的资格。尽管如此，由于SK海力士在HBM3e市场已建立起明显的先发优势，三星短期内难以大规模抢占份额。因此，其战略重心已全面转向新一代HBM4内存。虽然SK海力士率先宣布量产

9月20日消息，近期存储芯片市场持续升温，价格涨势迅猛，特别是内存领域，DDR4与DDR5预计将在下个月迎来新一轮显著上涨。尽管此前已有Q3季度涨价的传闻，但实际涨幅远超预期，且来势汹涌，涨势预计将延续至2026年，至少在明年第二季度前难以放缓。对于DDR4而言，其价格早已出现与DDR5倒挂的现象。由于逐步退出主流市场，头部厂商产能不断缩减，供应缺口逐渐显现。目前整体供应缺口约为2%，而从Q4起至2026年Q2，缺口或将扩大至10%-15%。据预测，10月份DDR4的合约价格将上调10%，现货市

长期以来，三星稳坐全球DRAM与NAND闪存市场的头把交椅，但近两年其领先地位正面临严峻挑战。在DRAM领域，自DDR5时代起，SK海力士便逐步实现反超。尤其在HBM内存技术上，SK海力士领先优势明显，已连续两个季度营收超越三星，终结了后者长达二三十年的“内存一哥”地位。NAND闪存方面，行业普遍已迈入300层以上TLC、QLC时代的量产进程。然而，三星却在其第九代V9闪存上遭遇挫折。尽管V9TLC早在2023年4月就已投入量产，核心容量达1Tb，但其V9QLC版本虽于2024年9月宣布量产，却

9月16日消息，DDR5内存自12代酷睿平台发布以来已进入PC市场四年时间。原本DDR4应逐步退出历史舞台，但今年却出现了反常局面。由于多种因素叠加，DDR4内存价格持续上涨，过去数月其售价一度超过DDR5，形成罕见的历史性价格倒挂。这一现象甚至迫使三星、SK海力士等主要内存厂商调整原定计划，宣布延长DDR4产能一年，推迟停产安排。随着DDR4价格攀升，其性价比优势荡然无存，尤其对DIY用户而言更是如此。这也反过来推动了DDR5平台的普及进程。连接器制造商优群科技总经理刘与义今日也表达了相同观点

近期存储芯片市场已开启全面涨价模式，无需等到明年，行情已然启动。DDR4内存此前已出现异常上涨，迫使三星等大厂将原定的停产计划推迟一年。尽管国产内存产品将在下半年陆续投放市场，但其产能尚难与三星、SK海力士等行业巨头抗衡，难以遏制整体涨价趋势。美光近日宣布暂停对DDR4/DDR5及LPDDR4/LPDDR5等产品报价一周，预计后续价格将上调约10%，部分领域如车规级内存涨幅或高达70%。在NAND闪存方面，闪迪已率先宣布提价10%，美光紧随其后加入涨价行列。甚至连主控芯片供应商群联电子也暂停报价

9月15日消息，继SanDisk此前宣布产品价格上调超过10%后，美光近期也传出新动态，已通知客户暂时停止对DRAM与NAND产品报价一周，涵盖DDR4、DDR5、LPDDR4、LPDDR5等各类规格的协议价格均被取消，预计一周后重新发布最新定价。据业内消息，此次美光DRAM产品的调涨幅度可能达到20%至30%，其中车用及工业级产品涨幅或高达70%。市场分析认为，此举并非常规的价格调整，而是针对当前供需严重失衡所采取的紧急措施。供应链透露，美光在梳理客户订单后发现，受数据中心与AI服务器需求激增

9月15日，据韩国媒体披露，NVIDIA已决定终止首代SOCAMM内存的开发进程，全面将研发资源转向下一代SOCAMM2技术。SOCAMM原本被设计为一种模块化LPDDR内存解决方案，旨在AI服务器领域实现接近HBM的高带宽表现，同时具备低功耗特性。然而由于技术瓶颈难以突破，项目进展迟缓，最终促使NVIDIA调整战略方向。此前发布的GB300NVL72规格文档中曾明确支持SOCAMM1，宣称其可提供高达18TB的LPDDR5X内存容量，并实现14.3TB/s的带宽性能，被视为数据中心高性能计算的

9月14日，SK海力士正式宣布，已率先完成全球首款新一代HBM4内存的研发工作，并全面进入可大规模量产的阶段。此次推出的HBM4内存具备2048-bit的I/O接口位宽，单针脚带宽达到10Gbps，使得单颗芯片的数据传输速率最高可达2.5TB/s，性能表现极为亮眼。值得一提的是，这一数值已超越JEDEC标准所定义的8Gbps门槛。SK海力士表示，该内存部署于AI系统中后，有望实现最高达69%的性能飞跃。在制造工艺方面，SK海力士采用了自研的MR-MUF封装技术，并基于其第五代10nm级工艺——即

感谢网友阿迷提供的线索！9月12日消息，SK海力士正式宣布已完成专为人工智能应用打造的超高性能存储器新品HBM4的研发，并在全球范围内率先建立起完整的量产体系。SK海力士表示：“我们已成功开发出将推动AI新时代发展的HBM4存储器，并基于这一技术突破，在全球首家实现了HBM4的量产体系建设。这再次巩固了我们在AI导向型存储技术领域的领先地位。”注：高带宽存储器（HBM，HighBandwidthMemory）通过垂直堆叠多个DRAM芯片，实现远超传统DRAM的

9月3日消息，据韩国媒体YonhapNews9月2日报道，三星电子株式会社的工会成员于当地时间周二向公司会长李在镕递交了一封公开信，呼吁企业提升奖金分配制度的透明度。在致三星集团实际掌舵人的文件中，员工们明确提出，希望引入更加公开、公正的奖金评估机制，并取消当前依赖经济增加值（EVA）的评定模式。工会在信中指出：“SK海力士近期已决定，将其年度营业利润的10%投入员工奖金分配计划，而三星电子却仍在沿用一个透明度不足的EVA体系。”据了解，SK海力士已与其工会达成初步薪资协议，

8月25日消息，SK海力士宣布其全新321层2TbQLCNAND闪存产品已成功完成研发，并正式进入量产阶段。此举实现了全球首次突破300层的QLCNAND技术应用，刷新了NAND存储密度的行业纪录。公司预计在完成全球客户的验证流程后，将于明年上半年正式推出该产品。为了增强新产品的市场竞争力，SK海力士推出了单颗容量达2Tb的存储芯片，较当前主流方案容量翻倍。针对大容量NAND可能带来的性能瓶颈，该公司将芯片内部的平面（plane）结构由传统的4个升级至6个

8月12日消息，科技媒体WccfTech昨日（8月11日）发布博文，指出SK海力士（SKHynix）为提升DDR5与高带宽存储（HBM）产品的性能，并在先进存储技术领域保持领先，正计划在1cDRAM的量产中引入六层极紫外光（EUV）工艺。报道称，这一技术方案不仅打破了现有行业规范，还将显著增强DDR5与HBM存储器的性能表现。根据博文内容，EUV技术使用波长为13.5纳米的光源，能够实现更精密的电路图案刻画，有效减少传统多重曝光（multi-patternin