10月的安卓手机市场，“涨价”成为了绕不开的关键词。 近期，多款国产新机密集面世，但其起售价，相比上一代均出现了数百元的上涨。而手机厂商们，则不约而同地将矛头，指向了上游存储芯片的成本压力。

近期，存储产品价格呈现出惊人的上涨态势。从现货市场数据来看，在10月13日至18日期间，DRAM方面，DDR516G、DDR416G均价相较上周分别飙升20.59%和11.11%，与上月相比涨幅更是达到惊人的58.73%与43%。DDR，全称为DoubleDataRate（双倍数据速率），是内存条（即动态随机存取存储器，DRAM）的核心技术标准，也是衡量内存性能的重要指标之一。据海报新闻报道，在浙江杭州，内存条近一个月内价格翻倍。当地商户透露，原本售价200多元的内存条如今已涨至400多元，而此

10月29日消息，据媒体报道，存储器行业正迈入新一轮“超级周期”，各大主要厂商陆续上调产品价格以应对持续攀升的市场需求。三星与SK海力士已率先在2023年第四季度对DRAM和NAND闪存产品提价，部分型号涨幅高达30%，相关成本预计将迅速传导至终端消费市场。业内专家分析认为，在人工智能（AI）应用迅猛发展的推动下，本轮存储器景气周期将比以往更加持久且强劲，供应紧张的局面或将持续三到四年。目前，三星、SK海力士以及铠侠的NAND闪存生产线均已满产运行，但仍无法完全满足市场需求，部分产品交付周期已拉

10月28日消息，最近内存价格涨上天的消息频繁上头条，DDR4涨价幅度甚至比DDR5还夸张，然而这时候也传出了异样的声音，那就是三星要在HBM3e上打价格战了。HBM3e是当前主流的高性能内存，AMD及NVIDIA的AI显卡都在用，2024年才上市，但市场上领先的是SK海力士及美光，三星作为内存一哥反而在HBM上大幅落后。今年9月份才传出了三星获得了NVIDIA的HBM3e认证的消息，有资格供货了，但面对SK海力士及美光的先发优势，三星也没啥好办法，7月份就传出要打价格战的消息，12层的HBM3

10月28日，NVIDIA创始人兼CEO黄仁勋再度成为全球AI领域的焦点人物，其行程备受关注。他于本月30日抵达韩国，开启15年来的首次访韩之旅。此次行程正值APEC会议期间，黄仁勋将出席其中的工商领导人峰会。当天，他还将在首尔参加GeForce显卡在韩国上市25周年的庆祝活动。随后，他将在一处保密地点与三星电子掌门人李在镕、现代汽车集团副会长郑义信举行三方高层会晤。尽管会谈细节尚未公开，但人工智能无疑是核心议题。黄仁勋与李在镕预计将深入探讨HBM内存供应合作。当前，三星正全力争取进入NVIDI

10月27日资讯，随着人工智能技术的迅猛发展，存储芯片面临更高要求，HBM内存成为标配，大容量SSD也愈发关键。SK海力士目前已着手研发全新的PB级SSD产品。据韩国媒体报道，SK海力士eSSD产品开发负责人ChunSungKim在OCP2025大会上公布了公司下一代NAND产品的战略规划，宣布将推出专为AI时代打造的全新产品线——AIN（AI-NAND）系列。该AIN产品线涵盖多个子系列，分别针对性能、带宽与存储密度进行优化。其中，AINP系列聚焦极致性能，致力于大幅降低存储系统与AI运算之间

过去几年，大家或许还对“显卡价格飙升”记忆犹新，如今轮到内存走上舞台中央，“价格狂飙”的剧情正全面上演。这一波上涨并非短期波动或市场炒作，而是由AI热潮引发的全链条刚性需求所驱动。从用于AI训练的HBM高带宽内存，到你电脑中的DDR5、DDR4，再到智能手机搭载的LPDDR5X，几乎全线内存产品都在迎来大幅涨价。涨势之猛、速度之快，连小米和雷军都公开喊话：真的扛不住了。先看PC端情况，全球三大DRAM巨头——三星、SK海力士与美光已开始酝酿高达30%的价格上调。这不是建议零售价，而是直接面向客户

10月25日最新消息，今年9月发布的四款iPhone中，除iPhone17标准版仍配备8GB内存外，其余三款均搭载了12GB内存。据韩国方面最新报告披露，iPhone18标准版将首次升级至12GB内存，但消费者需要等到2027年上半年才能购买到这款新机。媒体报道称，为确保iPhone18系列的内存供应稳定，苹果已着手从三星采购LPDDR5X内存，以应对日益增长的AI功能需求，并避免受到其他人工智能企业抢货的影响。据悉，苹果已向三星预定了约1300万颗LPDDR5X内存芯片。此次内存升级的主要驱动

10月25日，红魔游戏手机产品总经理姜超透露，当前整个行业正面临存储价格大幅上涨的局面，交付与成本压力显著增加。他指出，今年几乎没有任何厂商推出24GB+1TB的配置版本，主要原因在于其高昂的成本以及高规格24GB（10700Mbps）内存产能极为有限，目前供应商尚未实现大规模量产。对于有1TB存储需求的用户，红魔将陆续推出16GB+1TB版本产品，敬请关注官方各大平台发布的最新动态，感谢广大用户的持续支持。据相关报道，三星电子与SK海力士已在本季度将DRAM和NAND闪存产品的价格上调最高达3

10月24日，消息指出，在AI技术推动的“DRAM超级周期”背景下，DDR5与DDR4内存芯片的产能已接近饱和，最新市场分析预计，内存价格将开启新一轮上涨通道。作为AI供应链中的核心组件，DRAM的需求激增尤为显著。尽管高带宽存储器（HBM）是主力需求来源，但DDR5和DDR4仍广泛应用于传统AI计算任务中，成为不可或缺的一环。据透露，三星、SK海力士等主流DRAM制造商正计划将DRAM及NAND闪存产品的价格上调约30%，这一调整或最早于今年第四季度体现在对客户的正式报价中。更引人注意的是，有

10月23日，一场前所未有的内存短缺正在席卷全球市场。根据《韩国经济日报》的报道，由人工智能推动的存储“超级周期”可能比以往任何一次行业繁荣都更加持久且强劲。包括三星电子和SK海力士在内的主要内存制造商计划在2023年第四季度上调产品报价，DRAM与NAND闪存的价格涨幅或将达到30%。此举旨在应对AI应用带来的存储芯片需求爆发，同时提高第六代HBM（高带宽内存）的盈利水平。随着各大半导体厂商将生产线资源优先转向HBM内存及AI加速器芯片的生产，原本用于智能手机、笔记本电脑和数据中心的通用型DR

10月22日，SK海力士新一代DDR5内存芯片的相关信息在网络上曝光，代号为“X021”，并带有全新的零件编号“AKBD”。据科技媒体unikoshardware分析，芯片上标注的“X021”意味着这是第二代3GbA-Die产品，预计将接替当前广泛用于早期DDR5内存模组中的3GbM-Die芯片。尽管SK海力士尚未正式发布这款第二代3GbDDR5A-Die，但依据其历史命名规则——例如EB、GB、HB等代码分别对应JEDEC标准频率4800MT/s、5600MT/s和6400MT/s——此次出现

10月21日最新消息，今年双11大促已经拉开帷幕，但PC爱好者却难言喜悦。近期内存与SSD价格持续飙升，几乎一天一变，涨幅惊人，使得原本期待的双11折扣显得微不足道。此次涨价潮中，PC用户再次成为间接受害者。根本原因在于AI技术迅猛发展，特别是HBM高带宽内存需求激增，迫使三星、SK海力士和美光等巨头将更多产能转向利润更高的HBM产品，从而压缩了普通DRAM内存的供应量。此外，DDR4内存的产能逐步退出也是推高价格的重要因素。随着三星等主要厂商陆续停止生产DDR4，而诸如机顶盒等消费类电子产品仍

10月21日讯，AI芯片制造对算力的巨大需求，正引发一场前所未有的内存供应危机。据悉，随着众多芯片制造商将生产线重点转向HBM内存和AI加速芯片的生产，原本用于智能手机、笔记本电脑及服务器的通用型DRAM内存出现供需失衡，市场陷入严重短缺状态。业内多家企业透露，近两个月来已出现明显的囤货抢购与重复下单行为，进一步加剧了供应紧张，推动DRAM价格迅速攀升。根据市场研究机构TechInsights发布的数据，9月份DRAM现货市场价格同比涨幅接近300%，远高于今年上半年个位数的缓慢增长水平。分析认

10月21日，JEDEC正式宣布JESD328标准规范已进入最后阶段，即将发布一种全新的内存形态——SOCAMM2（SmallOutlineCompressionAttachedMemoryModule），专为下一代AI与数据中心平台打造。该标准定义了一种基于LPDDR5和LPDDR5X技术的矮型、可更换、可升级内存模块，具备更高带宽、更低功耗以及更强的扩展能力，适用于高性能计算场景。单针脚数据传输速率最高可达9.6Gbps（即9600MT/s），相比当前主流的8533MT/s有明显提升，能够更

10月20日消息，近期内存与闪存价格持续攀升，作为全球存储芯片生产重镇的韩国，其两大行业巨头业绩迎来爆发。继三星电子之后，SK海力士第三季度营业利润也成功突破10万亿韩元大关。SK海力士近日公布Q3季度财报预测，预计当季营收约为24.67万亿韩元，约合173.4亿美元，营业利润达11.34万亿韩元，相较第二季度的22.23万亿韩元营收和9.21万亿韩元营业利润实现显著增长。相比之下，三星电子此前发布的Q3初步业绩显示，营业利润预计为12.1万亿韩元，约合85亿美元，超出市场预期，同比增长31.8