本站12月14日消息，台积电的日本子公司日本先进半导体制造公司总裁堀田祐一对日经新闻表示，台积电位于熊本县的第一家日本工厂即将于今年底前开始大规模生产。他还表示，台积电计划于2027年在熊本投产第二家工厂。“我们目前正在准备地块，建设将于1月至3月季度开始。”根据本站此前报道，JASM第二晶圆厂将聚焦6/7nm准先进制程和40nm成熟制程，成为具备12/16nm和22/28nm生产能力的第一晶圆厂的重要补充。对于日本紧缺的半导体人才，堀田祐一在讲座后表示JASM拥有足够的人力资源，该企业希望半导

麦格理证券最新报告显示，台积电美国工厂生产成本或比台湾地区高出30%，导致其4nm制程利润率下降1%~2%。台积电已表示将承担额外成本以维持美国工厂运营。尽管如此，麦格理仍维持对台积电的“优于大盘”评级和1500元目标价。台积电全球工厂成本差异及挑战麦格理报告以“台积电海外供应链成本通胀”为题，分析了台积电在海外复制特种化学品供应链时遇到的难题。美国和日本工厂面临的挑战各不相同。如果供应链复杂性和成本大幅增加，亚利桑那州工厂的总成本可能超出市场预期。报告指出，在先进制程化学品领域，台湾供应商（如

本站12月12日消息，日本半导体制造商罗姆ROHM当地时间本月10日宣布同台积电就车载氮化镓GaN功率器件的开发和量产事宜建立战略合作伙伴关系。罗姆此前已于2023年采用台积电的650V氮化镓HEMT（本站注：高电子迁移率晶体管）工艺推出了EcoGaN系列新产品。罗姆、台积电双方将致力于把罗姆的氮化镓器件开发技术与台积电业界先进的GaN-on-Silicon（硅基氮化镓）工艺技术优势结合起来，满足市场对高耐压和高频特性优异的功率器件日益增长的需求。台积电在新闻稿中提到，该公司看好未来氮化镓功率器

台积电2nm制程试产传来喜讯！良率表现优于预期，有望实现2025年量产目标。尽管台积电方面暂未对此发表最新评论，但此前已确认2nm制程研发进展顺利，设备性能和良率均符合甚至超出预期。台积电计划2025年量产2nm制程，量产曲线预计与3nm相似。12月5日，台积电股价上涨，外资持续买超，显示市场对2nm制程前景的信心。台积电先前表示，2nm制程初期两年内产品设计定案数量将超过3nm和5nm同期水平。强劲的市场需求推动台积电2nm产能扩张。据悉，苹果已预订2nm制程首批产能，AI产业的蓬勃发展也吸引

英特尔CEO基辛格退休，引发全球半导体产业关注。和硕董事长童子贤对此表示，美国企业的人事变动频繁，基辛格的离职也在意料之中。针对传闻英特尔曾邀请台积电前董事长刘德音接任CEO，童子贤认为，台湾地区人才济济，若能发挥其影响力，为美国企业效力也是一件好事。虽然有媒体报道英特尔曾接触刘德音，但童子贤表示难以证实传闻真伪。然而，他也指出，若属实，这将是台湾人才在全球舞台上展现实力的绝佳机会。不过，报道也提到，刘德音可能因竞业协议而无法立即加入英特尔。

据数码博主@数码闲聊站爆料，台积电2nm制程量产时间预计在2025年下半年，明年旗舰芯片的主流工艺将是N3P。高通下一代骁龙处理器SM8850（预计命名为第二代骁龙8至尊版）将采用N3P工艺制造，性能提升至少20%，并集成单帧级降功耗技术。虽然早期测试中曾考虑三星SF2工艺，但最终产品仍倾向于独家使用台积电N3P工艺。预计明年底，大部分新款旗舰手机都将搭载基于此工艺的处理器。![](/uploads/20241130/1732939416674a8e98e0549.jpg"台积电2nm制程量产时

本站11月29日消息，在本月召开的欧洲开放创新平台（OIP）论坛上，台积电宣布计划在2027年推出超大尺寸版晶圆级封装（CoWoS）技术，最高实现9倍光罩尺寸（reticlesizes）和12个HBM4内存堆叠。台积电每年都会推出新的工艺技术，尽最大努力满足客户对功耗、性能和面积（PPA）改进的需求。对于有更高性能需求的客户来说，EUV光刻工具现有的光罩尺寸（858平方毫米）是不够的。本站注：台积电于2016年推出的初代CoWoS封装方案，支持大约1.5倍光罩尺寸，而目前已经提升到3.3倍，可以

1.11月26日，台积电高雄2nm晶圆厂举行设备进场仪式，预计明年上半年试产。2.台积电低调举行高雄2nm厂设备进场仪式，仅为内部活动。据传，仪式由台积电资深副总经理兼共同运营长秦永沛主持，高雄市长陈其迈及供应链伙伴受邀出席。3.台积电董事长兼总裁魏哲家此前表示，2nm制程客户需求超出预期，台积电将提供比3nm更多的产能。4.台积电强调，2nm制程技术研发进展顺利，性能和良率均达预期，甚至部分优于预期。2nm制程将于2025年如期量产，量产曲线与3nm类似。5.消息人士透露，台积电2nm制造将在

台南市于22日晚间8时许发生多起地震，其中8时40分的地震规模为芮氏5.4级，震度5级，震央位于佳里区。地震深度为7.7公里，属于浅层地震，民众表示当时听到地鸣声，并被手机警报吓到。地震持续时间较长，部分民众逃离屋内。台南市消防局表示尚未收到灾情报告。南科管理局指出，台积电18厂无尘室部分人员疏散。网友纷纷表示感受到地震强烈，并听到地鸣声。有网友质疑台积电工程师可能需要回公司支援，南科管理局则表示台积电18厂无尘室人员部分疏散，其他园区厂商及新建工程正常运作。台南市近期有感地震增加，消防局提醒民

1.台积电美国亚利桑那州晶圆厂落成典礼，传闻将推迟至新任总统川普就任后举行。随后，台积电董事会宣布将首次在美国召开会议，引发外界猜测台积电已采取行动应对川普重返白宫。2.台积电董事刘镜清于21日确认收到通知，将于2025年2月10日赴美参加台积电董事会。市场人士认为，这是台积电董事会首次在海外召开，与川普上任以及台积电亚利桑那州晶圆厂量产投资密切相关。3.刘镜清公开证实台积电将首次赴美召开董事会，印证了市场传言。台积电作为全球半导体先进制程的领军者，积极在海外扩张。市场认为，台积电在美国举行董事

台积电积极扩大海外布局，今年前三季获得160.43亿新台币（下同）等美国、日本和中国等政府补助；2021年以来，累计获超过700亿元政府补助。台积电财报资料显示，台积电子公司TSMCArizona、JASM及台积电南京等，因分别计划于亚利桑那州、熊本和南京当地设厂营运，取得美国、日本及中国政府补助款，主要用于补贴不动产、厂房及设备购置成本，以及建造厂房与生产营运所产生的部分成本与费用。台积电指出，2021年和2022年陆续取得日本和中国政府补助款8.27亿及70.51亿元，2023年再取得475

：业界消息指出，台积电为满足先进封装产能需求，计划扩大与群创的合作。台积电将持续向群创采购旧厂，同时租赁部分厂区用于运营，以加速先进封装产能的增长。台积电和群创尚未证实传闻。群创股价逆势上涨，收盘微涨0.1元新台币至15.4元新台币，而台积电股价下跌10元新台币至1025元新台币。今年8月，台积电以171.4亿元新台币收购群创南科四厂，并将其更名为先进封测八厂（AP8）。预计2025年第二季度投产，为CoWoS先进封装新产能做准备。群创董事长洪进扬表示，出售南科四厂不仅涉及售厂价格，还考虑售后带

：台积电积极推进全球布局，计划于2025年在全球建设十座晶圆厂，创下公司及全球半导体行业的新纪录，推动其资本支出大幅增长。业内人士估计，台积电2025年的资本支出将达到340亿至380亿美元，挑战历史最高水平。对于2025年资本支出计划，台积电尚未公布具体信息，请关注公司官方公告。关于2024年资本支出，请参考10月法说会内容。2025年，台积电将在全球新建和持续建设十座工厂，其中台湾地区占七座，包括先进制程晶圆厂和先进封装厂。台湾地区的七座工厂包括：新竹和高雄的四座2纳米量产基地，以及三个先进

据统计，第三季度中国台湾半导体业产值约1.38兆元达新台币，环比增长9%，预期第四季度产值可望持续攀高，逼近1.48兆元，较第三季度再增加6.9%，全年产值将5.3兆元达新台币，增加22%。随着供应链库存水位下降，步入传统旺季，第三季度中国台湾半导体产业产值攀升至1.38兆元新台币。其中，IC制造业表现亮眼，环比增长11.1%，达到8965亿元新台币。同期，IC封装业产值达1114亿元新台币，环比增长9%；IC测试业产值505亿元新台币，环比增长4.3%；IC设计业产值3256亿元新台币，环比增

1.台积电美国新厂进度良好，无完工典礼台积电创办人张忠谋出席台大校庆时表示，位于亚利桑那州的新厂进展顺利，但不会举行完工典礼。2.亚利桑那州新厂生产良率媲美台湾此前传闻称，新厂生产良率达台湾南科厂区水平，增强外界信心。张忠谋表示，已听说状况良好。3.量产时间和制程新厂预计2025年第一季度开始量产4纳米制程。第二期厂房原计划2026年量产3纳米制程，现已推迟至2028年。第三期厂房量产计划尚未确定。4.明年营运展望法人对明年上半年营运持保守态度，因美国新厂量产可能降低毛利率。但随着生产状态改善，

11月14日消息，据媒体报道，三星最新的二代3nm工艺良率仅为20%，而且由于需求疲弱，三星可能被迫与最大竞争对手台积电合作，由台积电来代工生产Exynos处理器。先前根据Wccftech、PhoneArena等报道，三星推出3纳米GAA制程的时间表或许比台积电的3纳米N3B制程还早。但市场消息表示，三星原本设定第二代的3纳米GAA制程良率应为70%，但当前实际上却只不到目标的三分之一。而在这样的情况下，三星自研的Exynos2500处理器无法用于即将于2025年推出的GalaxyS25手机上，