光刻机根据光源类型、透镜类型、投影方式、分辨率、产能、自动化程度和成本分类。光刻机的应用和技术需求随着半导体技术的进步而不断变化，推动着光刻机分类的演变。

本站11月15日消息，《日本经济新闻》当地时间今日凌晨报道称，日本先进半导体代工企业Rapidus购入的第一台ASMLEUV光刻机将于2024年12月中旬抵达北海道新千岁机场，这也将成为日本全国首台EUV光刻设备。根据Rapidus高管以往表态，该光刻机是较早期的0.33NA型号，而非目前全球总量不足10台的0.55NA（HighNA）款。据悉本次整个空运任务将分多架次完成，新千岁机场还为这台对精度要求极高、不耐振动的“庞然大物”对机场颠簸不平的路面进行了重新铺设；此外ASML已在千岁市建设了客

光刻机根据光源波长和投射方式可分为：近紫外光光刻机：分辨率 50-200nm，适用于低端半导体器件。深紫外光光刻机：分辨率 32-100nm，用于生产中高端半导体器件。极紫外光光刻机：分辨率 14nm 及以下，适用于高端半导体器件。电子束光刻机：分辨率 10nm 及以下，用于掩模板制造和研究领域。

光刻机品牌主要分为三类：美国（ASML、KLA、应用材料）、荷兰（ASML）、日本（尼康、佳能、东京电子）。其中，ASML在全球市场份额超过90%，占据主导地位。

光刻机分为接触式和无接触式两类。接触式光刻分辨率高、成本低，但容易损坏掩模；无接触式光刻避免了掩模损坏，适用于大芯片制造，但分辨率稍低、成本较高。无接触式光刻又细分有投影式、步进式、扫描式三种类型。选择光刻机需考虑分辨率、精度、芯片尺寸、成本、可靠性等因素。

光刻机是将电路图样复制到硅片上的设备，用于半导体制造。其工作原理遵循光刻胶成像和蚀刻工艺，包括：涂布光刻胶。掩模对准。曝光。显影。蚀刻。去胶。

光刻机是微电子制造中的关键设备，用于在晶片上创建微小电路和结构。其基本原理包括：（1）图案设计；（2）光掩模制作；（3）曝光；（4）显影；（5）刻蚀。光刻机使微型化、精度和批量生产成为可能，在半导体制造中不可或缺。

网络光刻机是精密制造电子设备的关键工具，它将掩模上的图案投影到晶圆表面，进行化学处理形成电路图案。该技术：通过不断缩小的光波长制造更小、更密的电路，提升设备性能。允许我们在晶圆上创建非常小的电路特征，造就当今先进的电子设备。

近日，光电信息学院李波课题组在面向极紫外光刻光源的短脉冲CO2激光高效放大领域取得重要进展。该团队的研究论文“Optimizationofefficiencyofshort-pulsedfastflowCO2laseramplifierwithdual-bandandmultispectrallines”在国际知名光学期刊《OpticsExpress》上发表。硕士生游聪为第一作者，华中科技大学光学与电子信息学院为论文第一完成单位。13.5nm极紫外光源是新一代极紫外光刻机的关键核心部件，基于高功

本站10月9日消息，ASML新任CEO傅恪礼（ChristopheFouquet）出席SPIE大会并发表演讲，重点介绍了HighNAEUV光刻机。他提到，HighNAEUV光刻机不太可能像最初的EUV光刻机那样出现延迟。傅恪礼还谈到了组装扫描仪子组件的新方法，即直接在客户工厂安装，无需经历拆卸及再组装的过程。这将大大节省ASML与客户之间的时间和成本，有助于加快HighNAEUV光刻机的发的和交付。紧随其后上台的是英特尔院士兼光刻总监MarkPhillips，他表示英特尔已经在波特兰工厂完成了两

光刻机按光源类型和光刻工艺分类：曝光光源：紫外光光刻机（紫外光波长）和极紫外光光刻机（波长 13.5nm）。光刻工艺：接触式（直接接触）、接近式（微小间隙）和投影式（通过镜头投影）。综合分类：KrF 光刻机（紫外光接近式）、ArF 光刻机（紫外光投影式）、EUV 光刻机（极紫外光投影式）、水浸式光刻机（高分辨率、低失真）和多重曝光光刻机（提高精度、良率）。

光刻机分类主要根据光源类型和光刻方式：一、光源类型紫外（UV）光刻机极紫外（EUV）光刻机二、光刻方式接触式光刻（已淘汰）近距离曝光（Proximity）光刻投影式光刻（主流方式）浸没式光刻 a) 水浸没式光刻 b) 油浸没式光刻

光刻机分为两类：接触式（直接接触掩模和晶圆）和投影式（将掩模图案投影到晶圆）。光刻机参数包括分辨率、深度聚焦、对准精度、重复精度、曝光场大小、光源波长、模板类型、通量、引线时间和造价。

光刻机是一种以极高精度将电路图案转移到晶圆上的设备，其运作原理如下：准备光掩模（刻有电路图案的玻璃板）；生成紫外光源（波长极短）；投射光束（通过透镜系统）；照射晶圆（光束穿透光掩模，曝光未被遮挡区域）；显影光刻胶（曝光区域溶解，保留图案）；蚀刻晶圆（去除未受保护区域）；剥离光刻胶（留下设计图案）。

光刻机制造商ASML宣布首台新款EUV光刻机TwinscanNXE:3800E已成功安装完毕，此新机型将带来更高的生产效率。根据3月13日的消息称，ASML公司取得了这一重要进展。▲ASML在X平台上的相关动态本站查询发现，ASML官网尚未上线TwinscanNXE:3800E的信息页面。除了正在研发的High-NAEUV光刻机TwinscanEXE系列，ASML也为其NXE系列传统数值孔径EUV光刻机持续更新升级，未来目标在2025年推出NXE:4000F机型。上两代NXE系列机型3400C和

本站2月2日消息，ASML首席财务官RogerDassen近日接受了荷兰当地媒体Bits&Chips的采访。在采访中，Dassen回应了分析机构SemiAnalysis的质疑，表示High-NA（高数值孔径）EUV（极紫外光）光刻机仍是未来最经济的选择。SemiAnalysis之前刊发文章，认为High-NA光刻技术将使用更高的曝光剂量，从而明显降低单位时间内的晶圆吞吐量。这就意味着，相较于沿用现有的0.33NAEUV光刻机并搭配多重曝光，引入High-NA在近期不会带来成本优势。Dassen认