SE10需插在CPU直连PCIe 4.0 x4 M.2插槽并开启BIOS中Resizable BAR支持，否则读取性能将从7300MB/s腰斩至3500MB/s以下；满盘剩余＞20%时，4K随机写IOPS应稳定在1080K–1130K，跌破1000K表明SLC缓存耗尽；主控温度超80℃即开始降频，HWiNFO需监控45分钟内温度与功耗曲线；TBW/健康度比值＞1.8TB/1%提示早期磨损加速。
确认SE10是否处于PCIe 4.0直连通道运行
先打开设备管理器→展开“系统设备”→找到“PCI Express Root Port”，右键属性→切换到“高级”选项卡，查看“链路速度”是否显示为“PCIe Gen4 x4”。若显示为Gen3或Gen2，说明固态未插在CPU直连的M.2插槽，或BIOS中未开启Resizable BAR/PCIe 4.0支持。
这一步必须做，【插错插槽会导致7300MB/s读取性能直接腰斩至3500MB/s以下】。很多用户把SE10装在芯片组提供的M.2口（如B650/H610/Z690第二第三M.2），实测连续写入200GB后温度未超75℃，但速度从6400MB/s骤降至2100MB/s——不是硬盘坏了，是通道带宽被锁死。
用CrystalDiskMark执行压力写入测试
方法一：使用CDM 6.3.1以上版本，测试设置选“1GiB”+“队列深度32”+“线程数16”，运行“Write”单项测试三次，记录每次结果。
方法二：改用CDM的“Random Write 4K Q32T16”循环跑10轮，观察IOPS波动幅度。SE10在满盘剩余空间＞20%时，该值应稳定在1080K–1130K之间；若第5轮起跌破1000K，说明SLC缓存已耗尽且QLC底层写入调度出现延迟积压。
注意：不要用默认的“1000MiB”测试，【SE10的1GB缓存仅覆盖前120GB左右写入，短测试无法暴露缓存耗尽后的稳定性问题】。
监控主控温度与功耗变化曲线
第一步：安装HWiNFO64，勾选“S.M.A.R.T.”和“NVMe”传感器，启用“记录到文件”功能。
第二步：启动CrystalDiskMark随机写入测试的同时，让HWiNFO后台持续采集，时间跨度不少于45分钟。
第三步：导出CSV数据，用Excel打开，重点看两列：NVMe主控温度（单位℃）和Package Power（单位W）。SE10正常工作时主控温度应在68–78℃区间浮动，功率峰值不超过5.2W；若温度突破82℃且功率跌至3.8W以下，说明主控已触发热节流，此时写入速度会断崖式下滑并伴随IO延迟跳升。
这一步操作起来很简单，直接把文件拖进去就行。但必须盯住温度曲线拐点——很多用户误以为“没报警就是没问题”，其实SE10在80℃时已开始降频，只是Windows不报错。
检查TBW消耗与健康度衰减速率
打开铠侠SSD Utility软件，进入“Drive Information”页，记下当前“Total Host Writes”数值（单位TB）和“Media Wearout Indicator”百分比。
然后执行一次全盘4K随机写入（可用fio命令：fio --name=randwrite --ioengine=libaio --iodepth=32 --rw=randwrite --bs=4k --direct=1 --size=800g --filename=/dev/nvme0n1），完成后再次读取上述两项数值。
计算：(第二次TB写入量 − 第一次TB写入量) ÷ (第二次健康度 − 第一次健康度)。若结果＞1.8TB/1%，说明该盘存在早期磨损加速现象——这与SE10部分批次BiCS5颗粒在高负载下的电荷泄漏特性有关，非固件缺陷，但需警惕后续健康度跳变。
