检测主板供电是为了确认CPU高负载下电压电流稳定性，避免缩频或死机；必须满载实测，空载电压或参数无意义。先数CPU插槽上边缘横向电感确定相数，区分DrMOS与传统MOS性能差异；再用HWiNFO监控VRM温度与电压波动，超105℃或±0.05V即存风险；最后通过降功耗墙、加散热片或最小系统法交叉验证瓶颈所在。
电脑性能测试中检测主板供电，是为了确认CPU在高负载下能否获得持续稳定的电压与电流，避免因VRM供电不足导致缩频、蓝屏或死机；这一步必须在满载压力下实测，仅看空载电压或官网参数毫无意义。
先测CPU供电相数与结构
关机断电，拆下CPU散热器，露出CPU插槽上方供电区域。只数紧贴CPU插座上边缘、横向成排的黑色方块状电感——它们就是主供电相的物理标识。跳过下方细小独立电感（多为VCCIO或内存PLL供电），也跳过散热片遮盖下的隐藏电感（除非你已拆散热模组）。一个电感≠一相，若看到两个相同电感并排共用同一组MOSFET和滤波电容，大概率是单相双电感并联设计，此时必须按驱动电路数算，不是电感数。
再低头看供电区MOSFET形态：传统分立式MOS带金属散热片，Dr.MOS是无散热片的扁平芯片；后者导通损耗低、响应快、耐高温，同相数下供电能力提升30%以上。若某相仅1颗Dr.MOS+1颗电感，代表集成式单相，性能≈传统2～3相。
空载电压测量（基础门槛）
拔掉所有电源输出线（24Pin、CPU 4+4Pin、显卡供电全拔），用回形针短接24Pin接口第16脚绿线（PS_ON#）与任意黑线（GND），插电后保持短接状态。
万用表调至直流20V档，黑表笔接任意黑线（GND），红表笔依次触碰：
第10脚黄线（+12V）→读数应在11.4V～12.6V之间；
第4脚红线（+5V）→标准值4.75V～5.25V；
第12脚橙线（+3.3V）→应在3.13V～3.47V之间。
【测+12V黄线时读数低于11.4V，即可判定老化严重，不可继续使用】
满载VRM温度与电压波动实测
第一步：装回所有线缆，进入系统，打开HWiNFO64，勾选“Sensors”页面，找到“VRM MOS Temperature”“CPU Core Voltage”“CPU VDDCR SOC Voltage”等项，记录待机值。
第二步：运行Prime95 Small FFTs模式（纯CPU满载），同时开启AIDA64 FPU压力测试，持续15分钟；每2分钟截图HWiNFO中VRM温度与核心电压曲线。
第三步：观察关键指标：
• VRM温度超过105℃→散热不足或相数虚标；
• CPU核心电压波动超±0.05V→供电稳压能力差；
• “VDDCR SOC”电压跌至0.8V以下且伴随内存报错→SOC供电相薄弱；
【若测试中出现系统自动重启、蓝屏STOP 0x124或HWiNFO弹出“VRM Overtemp Warning”，说明供电已触达硬限，不可用于长期超频】
交叉验证法锁定供电瓶颈
方法一：降低CPU功耗墙
进BIOS → Advanced → AMD CBS（或Intel Extreme Tuning Utility）→ 将PPT/TDC/EDC三墙同步下调20%，保存退出；再跑15分钟Prime95。若VRM温度下降超15℃且电压波动收敛，则原设定已超出主板供电余量。
方法二：更换散热直击热点
在CPU供电区MOSFET位置加贴一块铜质散热片（带导热垫），不改任何设置，重跑满载测试。若VRM温度骤降20℃以上且系统不再缩频，说明原设计散热冗余不足，非供电能力问题。
方法三：最小系统隔离干扰
拔掉独显、所有硬盘、RGB控制器、USB设备，仅留单条内存+CPU+主板+电源，再测满载表现。若此时电压稳定、温度可控，说明原故障由外设取电干扰或电源带载分配失衡引发，非主板本身供电缺陷。
