电源散热片松动会削弱热传导，导致MOSFET或整流桥过热、纹波增大甚至关机；需先断电初筛位移与异响，再通电用红外扫描或热电偶检测温差及界面脱空，确认导热失效。
电脑电源散热片松动会直接削弱热传导路径，导致MOSFET或整流桥局部温升超限、输出纹波增大甚至触发过热保护关机；必须在不通电状态下完成机械稳定性初筛，再通过热源激励+红外扫描量化温度传导效率衰减程度。
断电状态下的机械松动初筛
彻底拔掉电源线，按住开机键10秒释放残余电荷，打开电源外壳侧板，找到主变压器旁贴附的铝制散热片（通常覆盖在次级整流桥与同步整流MOSFET上）。
用指尖沿散热片四周边缘施加0.8–1.2N横向推力，观察其相对于PCB的位移量：若任意方向位移超过【0.25mm】，或推动时伴随金属刮擦声、卡扣“咔哒”声消失，说明固定螺丝预紧力已衰减或导热胶垫完全失效。
此时不要强行按压复位——斜向施力可能使MOSFET引脚从焊盘撕裂。
热源激励下的温度传导效率检测
该测试需在电源通电但不接入主板的状态下进行，使用恒流负载模拟真实工况：
第一步：将+12V输出端接30A电子负载，设置为CC模式，电流调至15A（对应180W负载）；
第二步：启动电源，待输出电压稳定后，用FLIR E6红外热像仪对准散热片表面，开启连续测温模式，每5秒自动捕获一次温度场图像，持续记录120秒；
第三步：重点比对两个区域的温升速率：① 散热片中心区（正对MOSFET芯片位置）；② 散热片边缘鳍片区（距芯片投影边界≥15mm处）。若中心区温升达75℃时，边缘区温升仍＜42℃，且两者温差＞33℃，【证明导热界面存在严重脱空，热阻已超正常值2.3倍】；
第四步：关机断电，用热电偶探针（直径≤0.3mm）插入散热片与MOSFET铜基之间缝隙，若探针可无阻力插入深度＞0.18mm，确认导热胶垫完全干涸收缩。
替代方案：无红外设备时的简易验证法
方法一：用K型热电偶贴片（带背胶）分别粘在MOSFET顶面与散热片对应位置，连接数字万用表毫伏档，通过查K型热电偶分度表换算温差。满载运行10分钟后，若两测点温差＞28℃，判定传导效率不合格。
方法二：在散热片表面均匀喷涂哑光黑漆（发射率ε≈0.95），用普通红外测温枪（距离系数D:S=12:1）定点测量同一位置三次，取平均值。对比新电源同型号实测数据——若温升高出19℃以上，基本可确认界面热阻异常。
注意：测温枪不可直接对准裸露PCB铜箔或焊点，反光表面会导致读数偏低15–22℃。
