12月30日最新消息，台积电已悄然启动n2 2纳米制程的大规模生产，虽未对外正式宣布，但实际进展与早前公布的路线图完全一致。
在其官网2nm工艺专题页面中明确写道：“台积电2nm技术已依规划于2025年第四季度进入量产阶段。”
进入2026年，N2产能将迅速提升，以满足多家头部客户的芯片代工需求——NVIDIA、AMD、苹果、高通以及联发科均已确认将采用该先进制程。
N2是台积电首个引入GAA（环绕栅极纳米片晶体管）结构的制程节点，其技术原理与Intel的RibbonFET架构有异曲同工之妙。
该设计通过栅极全方位包裹由多层水平堆叠纳米片构成的导电沟道，显著增强静电控制能力，大幅抑制漏电流，在保障性能与能效不打折扣的同时，实现晶体管尺寸进一步微缩及集成密度跃升。
此外，N2还在供电网络中首次集成超高性能金属-绝缘体-金属电容（SHPMIM），其电容密度相较上一代高性能MIM电容（SHDMIM）提升逾2倍；同时薄层电阻（Rs）与通孔电阻（Rc）均降低达50％，从而全面提升供电稳定性、运算性能与整体能效表现。
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据台积电官方数据，相较于N3E工艺，N2在相同功耗下可带来10–15％的性能增益；在同等性能水平下，则可实现20–25％的功耗下降，晶体管密度亦提升15％。
N2之后还将推出两个重要演进版本：
N2P预计于2026年下半年投入量产，性能再提升5–10％，功耗同步优化5–10％；
N2X则计划于2027年正式量产，相较N2P，性能再提升约10％，功耗亦进一步压降。
更远期规划中，A16与A14制程将陆续登场，其中A16将首次搭载业界首创的超级供电电路（SPR），其量产进程也已确定将于2026年下半年稳步推进。
