12月18日快讯，起初并无赴美建厂意向的台积电，在美方持续施压下，近年持续加码在美投资，最新公开承诺总额已达1650亿美元；而美方近期进一步释放信号，期望其投资额提升至2000亿美元以上。

对台积电而言，这不仅意味着巨额资本投入，更涉及先进制程技术的海外部署：其亚利桑那州一期工厂原规划量产5nm芯片，但已于去年底正式启用时升级为4nm工艺产线。

目前正加速建设的二期工厂，已明确将承担3nm制程的量产任务；而根据后续扩产蓝图，从2nm直至1.4nm节点的尖端工艺，也将分阶段、有节奏地迁移至美国生产基地。

如此大规模、高规格的产能外移，是否会导致核心技术外泄？这一担忧始终是市场与产业界关注的焦点。对此，台积电多次公开强调：全球最前沿的制程研发与量产，仍将牢牢保留在中国台湾总部。

如今，相关监管机构亦主动发声释疑，明确指出关键技术出口将受到严格管控，涉密岗位人员亦纳入统一管理范畴；据透露，台积电若要将1.4nm（A14）工艺落地海外，必须满足“N-2”技术管制门槛后方可实施。

所谓“N-2”，即指海外晶圆厂所采用的制程节点，须比台积电本土最先进量产工艺落后整整两代。举例来说，当台积电在台湾主力推进2nm（N2）量产时，美国工厂对应可部署的最高工艺仅为5nm（N5），中间尚隔3nm（N3）一代；待未来台积电在本土实现1.4nm（A14）量产，美方工厂方获准导入2nm（N2）工艺，其间仍需跨越1.6nm（A16）这一过渡节点。