据产业链最新消息，三星电子系统lsi事业部已正式敲定采用2纳米制程工艺打造下一代外置5g基带芯片m2800系列。该调制解调器预计于2027年完成研发，并将随2028年发布的galaxy s28系列旗舰手机一同亮相，届时将与exynos 2800处理器以双芯片方案协同工作。
三星芯片
在制程升级方面，三星将外置基带从当前主流的4纳米推进至2纳米节点，此举不仅带来能效、发热与传输性能的全面提升，也将释放部分原有4纳米产线资源。这部分产能将被重新调配，重点转向HBM（高带宽内存）堆叠结构中的底部控制芯片制造，以强化其在先进封装与AI存储领域的供应链优势。目前，三星晶圆代工部门正加速优化4纳米产线配置，优先保障HBM基础裸片的量产交付能力。
面向2027年上市的Galaxy S27系列，其配套的M2700基带仍基于4纳米工艺打造，与Exynos 2700 SoC协同运行。值得注意的是，三星已全面终止沿用多年的Shannon命名体系，统一启用更简洁明确的“M”系列标识——例如此前广为人知的Shannon 5410，对外亦曾标注为Exynos调制解调器5410，现已归入M系列演进脉络。
据内部验证信息显示，M2700已顺利通过三星移动体验事业部（MX）多轮严苛测试，整体表现较前代有明显提升。尽管未切换制程，但三星通过系统级软硬件协同优化，包括精细化电压调节、通信协议栈重构及算法增强等手段，显著改善了功耗控制与数据吞吐效率。同时，该芯片引入“光学缩微”（Optical Scaling）技术，在不变更底层工艺的前提下，实现芯片掩模面积缩减约4%，进一步提升单位面积集成度与成本效益。在通信标准支持上，M2700已完成从3GPP Release 17至Release 18的全面升级，并对非地面网络（NTN）模块进行强化，卫星直连通信、紧急呼叫等场景下的稳定性与响应速度均获增强。
回溯至今年发布的Galaxy S26系列，其外置基带5410同样采用4纳米工艺。在韩国市场，S26标准版与S26 Plus均搭载Exynos 2600 + 5410组合；而美国市场则选用高通第五代骁龙8至尊版平台。产业链人士透露，5410在待机功耗与典型负载功耗实测中相较竞品略处下风；而经过上述多项工程优化后的M2700，已在关键能效指标上达到甚至超越同级竞品水平。
