必须实测轻载（≤10%额定电流）和重载（≥75%额定电流）下的效率曲线，因日常80%以上时间处于20%负载以下；需在25℃±2℃、标称输入电压下，用四表法精准采集Vin、Iin、Vout、Iout，并绘制对数坐标双轴曲线定位拐点，结合损耗模型（Ploss = a₀ + a₁·Iout + a₂·Iout²）反推优化方向。
要判断一款电源在真实使用场景中是否省电，不能只看规格书里标称的“峰值效率95%”，必须实测它在轻载（如待机、屏幕休眠）和重载（如满负荷运算、视频渲染）下的效率曲线，并对比两者变化趋势——因为日常用电80%以上时间处于20%负载以下。
明确测试负载点与工况边界
先锁定两个关键区间：轻载指输出电流 ≤ 额定电流的10%，例如额定5A的模块，轻载取0.1A、0.3A、0.5A三点；重载指 ≥ 额定电流的75%，取3.75A、4.5A、5A三点。这两个区间不是随意划分的——轻载段若跳过0.1A点，会漏掉PSM/PFM模式切换临界区；重载段若只测5A单点，无法识别传导损耗主导区的效率衰减斜率。
输入电压统一设为标称值（如12V输入模块就固定用12.0V），避免Vin波动干扰η计算；环境温度控制在25℃±2℃，温漂超过3℃时效率偏差可达0.8%以上。
同步采集四参数并剔除接线误差
用四表法同时读取Vin、Iin、Vout、Iout：两块高精度DMM（0.05%级）分别并联在电源输入端子和输出端子上，另两块串联在输入回路和输出回路中。注意：【电压表引线必须焊接到电源PCB焊盘上，严禁夹在测试钩或香蕉头处——否则引线电阻压降会导致Vout读数偏低0.1~0.3V，轻载时直接使η虚高3~5%】。
电子负载设为CC模式，每调一个电流点后等待15秒再读数，让环路稳定；若Iin读数在±0.5mA内跳动，说明SW波形未振荡，数据可信；若跳动超2mA，需检查BOOT电容是否虚焊。
绘制双轴效率曲线并定位拐点
第一步：把6个负载点的η值填入表格，横轴用对数坐标（Iout从0.1A到5A跨度50倍，线性坐标会压缩轻载细节）；
第二步：画出两条曲线——左纵轴是效率η（%），右纵轴是损耗功率Ploss（mW），后者由Pin−Pout算得；
第三步：找拐点——当Iout从0.1A升至0.5A时，若η上升幅度＞3%，说明该电源在极轻载下静态功耗控制优秀（IQ＜50μA）；当Iout从3.75A升至5A时，若η下降＞1.2%，则传导损耗已成瓶颈（Rds(on)或DCR偏大）。
这一步不能用Excel默认折线图——必须启用次坐标轴，否则轻载0.95mW损耗和重载210mW损耗会挤在同一像素行里，根本看不出损耗构成迁移过程。
对照损耗模型反推优化方向
方法一：用实测数据拟合Ploss = a₀ + a₁·Iout + a₂·Iout²公式。若a₀占总损耗比＞60%（比如0.1A时Ploss=0.98mW，其中0.62mW来自a₀），说明空载功耗是主要矛盾，应优先更换IQ更低的控制器或关断采样电阻分压支路；
方法二：查效率峰值点位置。若实测峰值出现在Iout=1.8A，但产品典型工作点在0.4A（如IoT传感器供电），说明a₀/a₂比值过大——此时降低a₂（换低DCR电感）反而恶化日常效率，必须压a₀（改用PSM架构或优化偏置电路）；
方法三：对比同型号不同批次。若某批次在0.3A点η骤降2.1%，而其他点不变，大概率是分压电阻焊接虚焊导致FB节点漏电，使芯片误判输出电压偏低、强制抬高占空比——这种缺陷在重载下完全暴露不出来。
