6月17日，英特尔官方宣布，在2026年vlsi国际研讨会上，英特尔代工正式确认intel 18a-p制程已迈入风险试产阶段。英特尔代工执行副总裁兼总经理naga chandrasekaran指出，这一进展充分体现了公司对尖端制程技术持续投入与创新的坚定承诺。

作为18A工艺的性能强化版本，18A-P可在同等功耗下实现9%的性能增益，或在维持相同性能水平时降低18%的功耗。该节点引入全新Power Boost能效优化技术，依托材料革新与结构几何优化，成功将热阻减少20%至40%，过孔电阻下降10%至30%，同时全面兼容18A的设计规则。

与此同时，英特尔院士Eric Karl与Manju Shamanna在会上展示了GAA（环绕栅极）晶体管及背面供电（BSPDN）技术的最新研究成果，验证了二者在削减动态功耗、提升低频工作能效方面的显著优势。面向更远期演进，英特尔还公开展示了单片集成CFET反相器、氮化镓（GaN）与硅基逻辑电路的异质集成方案，以及减成法钌互连工艺，为后续芯片微缩路径提供了关键技术支撑。

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