显卡核心供电MOSFET击穿后表现为12V/8Pin接口对地阻值骤降至几欧姆甚至零点几欧姆，伴随插电冒烟、PCIe插槽发黑、电源保护关机；需立即断电，按四步法隔离：第一步强制断电并检查PCB烧损；第二步在路测量各相电感与上下管阻值锁定短路相；第三步拆件或不拆件验证MOSFET D-S/G-S击穿；第四步排查供电芯片、DrMOS、PCB走线及滤波电容连带损伤。
显卡核心供电MOSFET击穿后，12V或8Pin供电接口对地阻值骤降至几欧姆甚至零点几欧姆，插电即冒烟、主板PCIe插槽发黑、电源保护关机——这种输入端短路已不是单颗元件问题，而是功率通路彻底失控，必须立即切断能量输入并逐级隔离故障源。
第一步：强制断电与物理隔离
拔掉主机电源线，长按开机键15秒以上释放残余电荷；将显卡从PCIe插槽完全拔出，用镊子检查8Pin/12VHPWR接口焊盘有无碳化、铜箔起泡或PCB穿孔；【若发现PCB已烧穿或供电接口周围覆铜大面积脱落，禁止继续通电测量】。
第二步：在路粗筛——锁定短路相位
将数字万用表拨至二极管档或200Ω档，黑表笔接地（显卡背面GND过孔或散热鳍片金属基座），红表笔依次触碰各相核心供电电感的非接地端（即连接上管漏极的一端）；记录每处读数，正常应为几十至几百欧姆，若某相读数≤5Ω，该相即为高危短路相。
重点测下管源极（通常直接连PCB大面积铺铜地平面）与对应上管漏极之间的电阻：正常时应为开路（OL），若出现0.2–3Ω稳定低阻值，说明该上下管D-S已全部击穿导通，形成直流通路。
第三步：拆件精测——确认击穿MOSFET个体
方法一：热风枪拆卸可疑相MOSFET
使用热风枪（温度350℃、风速3档）均匀加热MOSFET封装四周30秒，用真空吸笔垂直提起；注意避免连带吹起周边小电容或电阻。拆下后，用万用表二极管档分别测其D-S、G-S、D-G三组引脚：【D-S正反向均导通且压降＜0.2V，即确认击穿】。
方法二：不拆件验证栅极是否失效
保持MOSFET在板，黑表笔接源极（S），红表笔轻触栅极（G）后迅速移开，再测D-S间电阻；若此时D-S由开路变为导通，说明栅氧层已被击穿，G-S间已漏电，该管必须更换。
第四步：排查连带损伤
① 测量供电芯片（如uP6255、RT8802A）的VIN与GND引脚间电阻：若＜10Ω，芯片内部MOSFET或驱动电路已损；
② 检查DrMOS芯片顶部是否有鼓包、裂痕，用手轻按有无松动感；
③ 用放大镜观察8Pin接口焊盘下方PCB走线——击穿瞬间的大电流常沿电源路径烧蚀底层铜箔，导致局部断路或半断路，此时万用表通断档可能误判为“未短路”；
④ 测量GPU核心供电滤波电容两端对地电阻：若某颗电容两端阻值异常偏低（＜50Ω），说明其已被强电流冲击击穿，需同步更换。
