4月30日，三星电子在发布2026年第一季度财报的电话会议上透露，当前通用型dram的盈利水平已暂时超越高带宽存储器（hbm），但公司仍将坚持两者产能配比的平衡策略。
三星电子
该公司坦言：“近阶段通用DRAM市场价格走强，其盈利表现确实已反超HBM。”原因在于，HBM通常按年度签订供货协议，价格调整节奏相对滞后；而通用DRAM则以季度为周期进行议价，能更快响应市场涨价趋势，从而在短期内实现利润优势。
尽管如此，三星电子强调不会因短期收益差异而显著偏移产线布局。管理层指出，若大幅削减HBM产能、集中转向通用DRAM，或将加剧HBM市场的供需失衡，反而加速其价格与盈利修复进程。因此，公司将持续保障两类产品的产能协同，兼顾当期财务表现与中长期技术及市场战略目标。
三星半导体业务主管还补充说明，HBM4凭借显著的性能优势已获得客户广泛认可，目前所有预定产能均已锁定。预计自今年下半年起，HBM4出货规模将快速提升，第三季度其营收将占三星HBM总销售额的50%以上，并在今年全年贡献过半收入。
在制程升级方面，三星已将1c纳米工艺应用于HBM4制造，以进一步强化产品性能。与此同时，面向未来的第七代HBM——HBM4E的首批工程样品，计划于今年第二季度交付核心客户，相关量产筹备工作正稳步推进。
