9月11日，据媒体报道，索尼半导体解决方案公司社长指田慎二在接受采访时透露，公司开发的新一代智能手机用cmos图像传感器将在2029财年（2029年4月至2030年3月）出货。

索尼

索尼此次发布的新一代CMOS图像传感器最大亮点是从双层结构升级为三层结构。现行索尼堆叠式CMOS传感器采用双层设计：一层是光电二极管层，包含用于感光的像素阵列；另一层是逻辑电路层，负责图像处理任务。而新技术增加了第三层处理层，大大扩展了传感器的图像处理能力。

指田慎二社长表示，新技术将采用22-28纳米制程，专门为图像传感器进行了定制化改进。相比现行的40纳米工艺和双层结构，能够在尺寸不变的情况下显著提升传感器性能。

指田慎二

三层堆叠结构带来的性能提升是全面的。根据索尼成像和传感解决方案部门与投资者交流的内容，新传感器将提高感度、解析度、读取速度等多项性能。更快的读出速度对摄像头性能几乎所有方面都有积极影响，包括改善卷帘快门效应、提升连拍速度和增强自动对焦性能。动态范围方面，索尼最新传感器技术已实现突破。近期曝光的IMX09E传感器支持Hybrid Frame-HDR技术，动态范围突破100dB。

CNMO还了解到，索尼计划在2025年实现CMOS图像传感器全球市场份额60%的目标。