快充頭可望'白菜價”,日企新技術將氮化鎵半導體材料成本降 90%
本站9 月5 日消息,日本最大的半導體晶圓企業信越化學工業和從事ATM 及通信設備的OKI 公司日前宣布,其開發出了以低成本製造使用氮化鎵(GaN )的功率半導體材料的技術。
據介紹,此技術可將製造成本降至傳統制法的十分之一以下。如果能夠量產,將有利於普及快速充電器等設備。
本站從官方新聞稿獲悉,信越化學工業和 OKI 開發的新技術可以在特有的 QST 基板上噴鎵系氣體,使晶體生長。信越化學工業的增厚晶體技術與 OKI 的接合技術結合,從基板上只揭下晶體。晶體放在其他基板上作為功率半導體的晶圓使用。

#信越化學工業表示,在GaN 基板上使GaN 晶體生長的製法不僅製造耗費時間,成品率還很差,成本高。 新制法可以高效製造晶體,可以降低 9 成成本。與在矽基板上使 GaN 晶體生長的製法相比,不需要基板與晶體之間的絕緣層。加上晶體的厚膜化,可以通 20 倍的電流。

信越化學工業透露,這項技術可以製造6 英寸晶圓,希望在2025 年增大到8 英寸,今後還考慮向半導體廠商銷售技術等業務模式。
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