据半导体行业消息，三星电子设备解决方案（ds）部门近期在半导体研究所内部正式成立“核心研发团队”，聚焦下一代dram、nand闪存以及先进晶圆代工工艺等关键方向，旨在优化研发资源配置、强化存储与代工板块之间的横向协同。

三星集团

该研究所隶属于DS事业部首席技术官（CTO）组织架构，核心职能是开展前沿半导体技术及制程的预研与可行性验证。新设立的核心团队将依据具体技术课题（如3D DRAM架构、超千层V-NAND堆叠、GAA晶体管集成等）动态配置跨领域专家，覆盖从基础材料探索、器件仿真、工艺开发、设计协同、先进封装到量产导入的全链条环节，从而加快技术落地节奏与项目闭环效率。

此前，三星已在高带宽内存（HBM）、新一代DRAM及先进逻辑制程等领域实施临时性联合攻关机制，抽调来自内存事业部、三星Foundry、SAIT（综合技术院）及公共支持部门的骨干力量组成专项组。本次升级将其中部分运行成熟、目标明确的临时小组固化为常设建制，实现研发组织从“项目驱动”向“能力驱动”的战略转型。

当前，半导体微缩已逼近物理极限，技术复杂度持续攀升：下一代DRAM在向1β/1γ节点演进过程中亟需突破良率爬坡瓶颈；NAND闪存正加速迈向1000+层堆叠，对蚀刻精度、薄膜均匀性及热管理提出更高要求；而三星Foundry推进的2纳米及1.4纳米GAA工艺，则面临器件稳定性、金属互连可靠性及缺陷密度控制等多重挑战。在此背景下，工艺、电路设计、EDA工具、新材料与封装技术的深度融合，已成为提升整体竞争力的关键路径。

值得关注的是，本次组织变革同步配套优化了研发激励体系。过去，因隶属不同业务单元（如存储vs代工），参与同一项目的工程师适用差异化的绩效评估与奖金发放规则。据知情人士透露，未来部分被纳入核心团队并达成里程碑目标的研发人员，无论原属存储、代工或系统LSI部门，均有望统一参照内存业务线的激励标准兑现奖励，此举意在弱化组织壁垒、激发协同动能，推动技术成果更快转化为市场优势。（2026年10月21日）