初级绕组匝间短路导致漏感剧增与RCD吸收失效，引发MOSFET雪崩击穿；可通过电阻测量、红外测温、示波器观测尖峰形态及RCD元件实测/替换法综合判定，并按清洁、换新变压器、更新RCD参数、假负载验证流程修复。
当电脑电源高频变压器初级绕组发生匝间短路时，MOSFET会在上电瞬间或开关动作中毫无征兆地炸毁，万用表测得D-S极已通路，更换新管后再次击穿，根本原因不在MOSFET本身，而在短路引发的漏感剧变与RCD吸收失效叠加形成的电压尖峰失控。
确认初级绕组是否存在匝间短路
断电后，用数字万用表二极管档或低阻档测量初级绕组两端电阻，正常值应在1～3Ω之间；若实测阻值低于0.5Ω且伴随轻微发热感，【极大概率存在局部匝间短路】。注意：不能仅凭电阻略低就下结论，必须结合空载上电时MOSFET是否一上电即炸来交叉验证。
拆下变压器，在绕组引脚间施加12V直流电压，用红外热像仪或手指背轻触线包表面——短路点附近会在3秒内明显发烫，而正常绕组温升均匀且缓慢。
匝间短路如何改变漏感并触发MOSFET雪崩击穿
匝间短路导致初级绕组有效匝数减少→磁路等效电感量下降→但漏感占比反而升高；同时短路环形成涡流路径，使关断时di/dt陡增，漏感电压尖峰Vspike=Lleak×di/dt急剧放大。
原设计的RCD吸收回路因电容C值按正常漏感匹配，此时吸收能量不足，残余尖峰叠加反射电压，使MOSFET漏源电压VDS轻松突破其标称VDSS额定值85%以上；【一旦超过器件雪崩耐量EAS，即发生不可逆雪崩击穿】，不是过热烧毁，而是纳秒级半导体晶格击穿。
验证RCD回路是否失效的实操步骤
方法一：示波器探头接地夹接电源地，信号钩接MOSFET漏极，开机捕捉关断沿——若看到尖峰顶部呈陡峭直线而非圆滑顶部，说明RCD未起作用。
方法二：断电后用LCR表测RCD中吸收电容C的实际容量，若比标称值衰减超20%，或用绝缘电阻表测其漏电流＞10μA，该电容已失效，无法储能泄放。
方法三：直接替换法——将原RCD中的电阻R换成阻值小1/3、功率大一级的水泥电阻，电容C换成同耐压但容量大22nF的新品，二极管D换为快恢复型FR107；替换后若MOSFET不再击穿，即可反推原RCD参数已不匹配当前漏感状态。
修复操作流程
第一步：拆除故障变压器，用丙酮棉签彻底清洁引脚焊盘及PCB铜箔，重点擦除碳化残留物。
第二步：更换同型号全新高频变压器，焊接前用万用表逐脚确认无内部短路；【严禁使用代换绕组匝数不同或磁芯材质不明的变压器】。
第三步：同步更新RCD元件：R选用10Ω/5W水泥电阻，C选用27nF/250V聚丙烯薄膜电容，D选用FR107二极管；所有焊点需饱满无虚焊，引线尽量短直。
第四步：不装负载，仅接假负载（20Ω/10W电阻）于+12V输出端，示波器监测MOSFET漏极波形，确认关断尖峰幅度≤420V且顶部圆滑，再接入主板测试。
