必须仅改变并联陶瓷电容数量来验证纹波抑制效果：固定输入12V、输出3.3V/2A，以单颗10μF铝电解电容为基准，依次并联1~5颗1μF陶瓷电容测Vpp₁~Vpp₅；再对比0.1μF单颗与1μF+0.1μF+10nF混合组合的Vppₐ、Vpp_b；实测需AC耦合、20MHz带宽、探头接地弹簧直焊负极焊盘，并取10组峰峰值平均值。
要验证不同并联电容数量对电源输出电压纹波的实际抑制效果，必须在保持其他变量严格一致的前提下，仅改变输出端并联陶瓷电容的数量，并用示波器捕捉纹波幅值变化。
搭建可复现的测试基准电路
使用同一块Buck评估板，输入电压固定为12V，输出设定为3.3V/2A，负载采用恒流电子负载并设为2A DC；断开所有原厂输出电容，仅保留焊盘上预留的单颗10μF铝电解电容（ESR≈80mΩ）作为基础滤波单元；该电解电容必须紧贴IC输出引脚焊接，引线长度≤2mm。
示波器探头接地弹簧必须直接焊接到电解电容的负极焊盘上，【禁止使用长接地线夹】，否则引入的额外电感会叠加高频振铃，掩盖真实纹波变化趋势。
分步增加并联陶瓷电容并记录纹波
第一步：在电解电容正负极焊盘之间，紧贴其本体并联1颗0603封装、1μF、X7R材质、低ESR（≤5mΩ）陶瓷电容；等待电源稳定5秒后，用示波器AC耦合、20MHz带宽限制、10mV/div档位捕获纹波波形，保存峰峰值Vpp₁；
第二步：不拆卸第一颗，再并联1颗同规格1μF陶瓷电容（位置对称分布在电解电容两侧，焊盘间距≤3mm），同样条件捕获Vpp₂；
第三步：继续追加第3颗、第4颗、第5颗同规格电容，每次新增后均重新稳定并捕获Vpp₃、Vpp₄、Vpp₅；注意每新增一颗，等效总电容线性增加，但总ESR按并联公式下降——5颗并联后ESR理论值已低于1mΩ。
更换容值组合进行对比验证
方法一：拆除全部1μF电容，改用1颗0.1μF（0402封装，ESL更低）陶瓷电容并联到电解电容两端，测得Vppₐ；
方法二：同时并联1颗1μF + 1颗0.1μF + 1颗10nF（0201封装），三者紧邻布置、共地焊盘，测得Vpp_b；
这一步的关键在于验证频域覆盖效果——单颗0.1μF对100MHz噪声抑制更强，而混合容值能压低更宽频段的阻抗谷值，【若Vpp_b比Vppₐ低30%以上，说明高频噪声是当前主要矛盾】。
示波器实测中的关键操作
打开示波器的“测量→峰峰值”功能，连续捕获10组数据取平均值，避免单次触发抖动干扰；
每次更换电容后，必须重新执行“探头补偿校准”，因为不同电容并联会轻微改变探头环路阻抗匹配状态；
若发现纹波波形底部出现周期性凹陷或顶部有尖刺状毛刺，立即停止增加电容数量——这表明已进入多电容并联谐振区，继续并联反而恶化性能。
