调节死区是负载跳变到磁复位电流开始调整的时间空白，需用纳秒级阶跃负载和示波器捕获电压初偏移点测得；死区＞1.2μs查C26电容，＜300ns查VD9至L4走线短接。
要在电脑电源测试中验证3.3V磁放大电路对负载突变的响应能力，必须人为制造一个足够快、幅度明确的阶跃负载，用示波器捕获输出电压在调节死区内的延迟与初始响应行为。调节死区指从负载跳变发生到磁复位电流开始调整、L4电感退出饱和状态之间的时间空白，该时段内稳压器尚未介入，全靠输出电容支撑。
搭建阶跃负载发生器
使用AFG（任意波形发生器）配合MOSFET开关电路生成纳秒级上升沿的电流阶跃：将AFG输出设为方波，频率10Hz～100Hz，幅值5V，边沿时间≤5ns → 连接至高速驱动芯片UCC27531输入端 → 驱动NMOS（如CSD18540Q5B，trise≈3.5ns）→ 漏极串联低感分流电阻（0.01Ω/5W，ESL＜1nH）→ 接至电源3.3V输出端正极；分流电阻另一端接电源地。
【分流电阻必须紧贴电源输出端子焊接，引线总长不得超过8mm】——否则寄生电感会扭曲阶跃前沿，掩盖真实死区时间。
同步触发与信号接入
方法一：单通道触发法
将AFG的TTL同步输出接到示波器EXT TRIG端 → 示波器通道1接3.3V输出电压（使用1:1无源探头，接地弹簧就近焊在输出电容负极）→ 设置触发源为EXT，触发斜率为↑，电平设为2.5V。
方法二：双通道差分观测法
通道1接3.3V输出（同上）→ 通道2接分流电阻两端电压（换用1:1探头，正极接MOSFET漏极侧，负极接地侧）→ 数学运算开启CH1−CH2×100（因0.01Ω对应100A/V），得到实际负载电流波形 → 触发源设为CH2，上升沿触发，电平设为0.1V（对应1A跳变）。
这一步操作起来很简单，直接把探头接地夹焊在C14负极焊盘上就行，别用鳄鱼夹悬空搭接。
捕获并标定调节死区
第一步：设置示波器时基为2μs/div，存储深度≥10Mpts → 单次触发捕获完整阶跃过程。
第二步：展开电压波形，在负载电流跳变沿（CH2上升沿）处做垂直标记 → 向右移动光标，找到3.3V电压曲线首次偏离原稳态值（如3.302V）的位置 → 两点间时间差即为调节死区时间。
第三步：若死区＞1.2μs，需检查TL431参考端滤波电容C26是否过大（典型值应≤100pF）；若死区＜300ns，说明磁复位路径存在寄生旁路，重点排查VD9阴极到L4右端走线是否被敷铜面短接。
注意：死区测量必须基于电压初偏移点，不是电压谷底或恢复起点——前者反映控制环路真正启动时刻，后者已混入电容放电和环路响应成分。
