高压侧整流二极管反向恢复时间（Trr）会诱发共模噪声电流，导致150 kHz–2 MHz传导EMI超标，影响EN55022 Class B认证及系统稳定性；需通过位置识别、正向压降测量、示波器抓取反向恢复电流尖峰及EMI频谱比对等方法定位并验证Trr问题。
在电脑电源测试中，高压侧整流二极管反向恢复时间（Trr）会直接诱发共模噪声电流，导致传导EMI在150 kHz–2 MHz频段超标，轻则使电源无法通过EN55022 Class B认证，重则干扰主板时钟信号引发系统偶发重启。
确认高压侧整流二极管在电路中的位置
打开ATX电源外壳，找到PFC级前端的全波整流桥——它通常紧贴AC输入滤波电容，由四颗独立封装或一体化封装的快恢复二极管组成；若为单管设计，则位于桥堆输出端与PFC电感之间，阴极朝向PFC开关管漏极方向。
用万用表二极管档测其正向压降：若读数在0.9–1.3 V且反向无穷大，基本可判定为硅基快恢复二极管；若压降低于0.5 V且反向漏电明显，可能是肖特基结构，但需注意其耐压是否满足≥600 V要求。
【务必断开AC输入并放电后再操作，否则PFC母线残留电压可能高达400 V】
用示波器抓取反向恢复电流尖峰波形
方法一：电流探头直测法
将AC耦合电流探头（带宽≥100 MHz）夹在整流桥任一臂的阴极引线上→示波器通道设为1 mA/div、20 ns/div→触发方式选“上升沿”，触发电平设为50 mA→上电空载运行，捕获二极管关断瞬间的反向电流波形。
观察波形关键特征：若出现尖锐负向脉冲（峰值＞正向电流3倍），且脉宽＞50 ns，则Trr已显著影响系统；若脉冲顶部圆钝、无明显过冲，则Trr控制良好。
方法二：电压间接推算法
在整流桥输出端（即PFC电感输入端）并联10 Ω/1 W无感电阻→用示波器差分探头测量该电阻两端电压→根据U = I × R反推电流波形→此法成本低但易受PCB寄生电感干扰，仅适用于初步筛查。
注意：普通单端探头不可直接测该点，因参考地与整流桥热地不共地，强行接地会导致短路炸机。
关联反向恢复参数与传导EMI实测数据
第一步：在EMI接收机或带FFT功能的示波器上，设置150 kHz–30 MHz扫描范围，记录电源满载工况下的传导骚扰曲线。
第二步：定位噪声峰值频点——若在400–800 kHz区间出现突出尖峰（＞准峰值限值6 dB以上），且该频点与PFC开关频率（通常为65–135 kHz）的3～6次谐波重合，则高度提示由二极管Trr激发的谐振噪声主导。
第三步：更换同规格但Trr更短的二极管（如将trr=75 ns的UF4007换成trr=35 ns的US1M）→重复EMI测试→若400–800 kHz段峰值下降10 dB以上，即可确认原二极管Trr是噪声源。
这一步操作起来很简单，直接把新二极管焊上去就行，但务必保证焊接时间＜3秒，避免热应力损伤芯片结区。
识别Trr引发的共模噪声路径
反向恢复电流不会流向负载，而是通过Y电容→大地→LISN→返回AC源，构成完整共模回路。用近场探头沿整流桥输出走线扫描，若在Y电容输入端附近探测到强烈30–100 MHz磁场，则说明Trr产生的di/dt正在激励PCB环路辐射。
此时可临时断开Y电容接地端，插入10 µH磁珠→若EMI峰值降低＞8 dB，证明共模路径已被有效抑制，反向恢复噪声确经此路径耦合。
