Windows 11 无负载突然重启主因是内存供电不足，需手动调高DRAM Voltage（DDR4起始1.225V/DDR5起始1.110V）、启用VDDQ Tracking、放宽tRFC与tREFI，并禁用DRAM节能及限制CPU C-State至C1。
Windows 11 在无明显负载时突然重启，事件查看器中反复出现 KERNEL_SECURITY_CHECK_FAILURE 或 MEMORY_MANAGEMENT 错误，且单条内存测试稳定、多条合插即触发——这极大概率是主板对内存施加的电压低于颗粒实际需求，导致高密度读写瞬间信号塌陷，CPU 内存控制器直接丢帧并强制复位。
进入 BIOS 并手动设定 DRAM Voltage
主板默认启用 XMP/EXPO 时，常因 CPU 内存控制器体质差异或 SPD 信息误差，使实际输出电压低于标称值。必须切换为手动模式并输入精确数值，否则系统永远无法获得稳定供电裕量。
关机后拔掉电源线，按住机箱电源键持续 5 秒释放残余电荷，再接电开机，在品牌 Logo 出现瞬间连续敲击 Delete 键（华硕/微星/技嘉）或 F2 键（部分 AMD 主板）进入 BIOS。
切换至 Ai Tweaker（华硕）、OC（技嘉）或 Overclocking（微星）页面，将内存配置模式由 XMP/EXPO 改为 Manual。
定位 DRAM Voltage 选项，DDR4 内存从默认 1.200V 起步，每次 +0.025V（如调至 1.225V）；DDR5 内存从默认 1.100V 起步，每次 +0.010V（如调至 1.110V）。【严禁超过 DDR4 ≤1.45V 或 DDR5 ≤1.35V 的绝对上限】
同步检查 VCCSA Voltage（Intel 平台设为 1.20V–1.25V，AMD Ryzen 7000 设为 1.15V–1.18V），该电压不足会直接拖垮内存控制器信号完整性。
启用 VDDQ Tracking 并放宽刷新时序
方法一：针对 DDR5 平台必选
在相同内存调节页面中，启用 VDDQ Tracking。该功能让 VDDQ 电压实时跟随 DRAM Voltage 变化，避免 IO 接口电平漂移引发命令总线误触发。
方法二：放宽 tRFC 降低高频刷新冲击
找到 tRFC（Refresh Cycle Time）参数，将其由 Auto 改为手动：三星 B-die 设为 512，海力士 CJR 设为 680，镁光 E-die 设为 720。tRFC 过小会导致刷新密集期供电瞬时塌陷，是随机重启的典型诱因。
方法三：延长 tREFI 抑制温度敏感波动
将 tREFI（Refresh Interval）从默认 32768 提升至 65536。这能显著降低内存因温度微变而频繁刷新带来的电压扰动，尤其适用于夏季室温偏高环境。
关闭所有内存节能机制
第一步：禁用 DRAM Power Down Mode
导航至 Advanced → DRAM Configuration 或 Ai Tweaker → Memory Tweaker，将 DRAM Power Down Mode、Memory Channel Power Down、Self-Refresh Deep Power Down 全部设为 Disabled。
第二步：限制 CPU C-State 至 C1
进入 Advanced → CPU Configuration，找到 Package C-State Limit，将其从 C7s/C8 改为 C1。深度休眠状态会切断内存控制器部分供电路径，唤醒时电压恢复延迟超 200μs 即可触发 KERNEL_SECURITY_CHECK_FAILURE。
第三步：清除 CMOS 强制 JEDEC 初始化
拔掉电源线，取下主板 CR2032 电池，保持断电 5 分钟；同时按住电源键 15 秒放电；装回电池后开机进 BIOS，执行 Load Optimized Defaults，再手动确认上述三项节能功能仍为 Disabled。
