11月25日，长鑫储存在ic china 2025（中国国际半导体博览会）上正式推出其最新研发的ddr5与lpddr5x存储产品，标志着其在高端内存领域向韩美领先厂商发起挑战。
据官方介绍，此次发布的DDR5系列产品最高速度可达8000Mbps，单颗颗粒最大容量达24Gb，整体性能达到国际先进水准。同时，长鑫还同步推出了涵盖服务器、工作站及个人电脑应用的七大模组产品线，全面覆盖主流市场需求。
此外，长鑫展出了此前已发布的LPDDR5X产品。该系列专为移动终端旗舰设备打造，最高传输速率高达10667Mbps，单颗容量最高支持16Gb，并提供包括12GB、16GB、24GB和32GB在内的多种封装组合方案，满足智能手机、平板等高性能移动设备的需求。
尽管今年早些时候市场上已有少量由中国企业生产的DDR5内存出现，但此次是长鑫作为国产DRAM代表企业首次公开亮相实际成果，引发业界高度关注。
业内分析指出，长鑫此次展示的DDR5产品性能表现突出，其8000Mbps的峰值速率相较前代6400Mbps提升了25%，技术进展已基本与韩国大厂并驾齐驱。有专家认为，该产品已具备支持当前最先进CPU平台的服务器应用能力。
根据韩媒《Business Korea》援引日经新闻及市场研究机构Counterpoint Research的数据，长鑫存储在2023年第三季度全球DRAM市场份额已达8%，位居全球第四；而在NAND领域，长江存储同期市占率为13%。
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虽然美国对EUV光刻机等关键设备实施出口管制，限制了中国半导体企业的扩产节奏，但在通用型DRAM技术层面，中韩之间的差距已缩小至一年以内。
值得注意的是，随着2030年临近，3D DRAM时代有望到来。这种新型架构通过垂直堆叠存储单元实现更高密度，对EUV工艺依赖较低。届时，中国企业或将在无需EUV设备的情况下实现技术跨越，迎来反超契机。
首尔大学材料科学与工程系教授Hwang Cheol-seong表示，从当前内存技术水平来看，韩国与中国之间的差距几乎已经不复存在。当五年后进入3D DRAM时代，中国的半导体产业或将迎来进一步崛起的关键窗口期。
