


Samsung bringt PM1753 SSD für Rechenzentren auf den Markt: 14,8 GB/s sequentielles Lesen, 3,4 Millionen zufälliges Lesen IOPS
Laut Nachrichten dieser Website vom 8. August stellte Samsung auf dem Flash Memory Summit (FMS) 2024 eine Reihe neuer SSD-Produkte vor – PM1753, BM1743, PM9D3a, PM9E1 – und testete auch den QLC V-NAND der neunten Generation, TLC V -NAND und CMM-D – DRAM-, CMM-H TM-, CMM-H PM- und CMM-B CXL-Technologien werden eingeführt.
BM1743 verwendet QLC-Flash-Speicher mit einer Kapazität von bis zu 128 TB, einer kontinuierlichen Lesegeschwindigkeit von 7,5 GB/s, einer Schreibgeschwindigkeit von 3,5 GB/s, einer zufälligen Lesegeschwindigkeit von 1,6 Millionen IOPS und einer Schreibgeschwindigkeit von 45.000 IOPS Mit einem 2,5-Zoll-Formfaktor und einer U.2-Schnittstelle reduziert sich der Stromverbrauch im Leerlauf auf 4 W und nach nachfolgenden OTA-Updates werden sogar nur noch 2 W benötigt.
PM1753 ist schneller, mit einer kontinuierlichen Lesegeschwindigkeit von 14,8 GB/s und einer Schreibgeschwindigkeit von 11 GB/s. Es verspricht eine Leistung von 3,4 Millionen IOPS beim zufälligen Lesen und 600.000 Schreib-IOPS Die Versionen U.2 und E3.S sind verfügbar, weitere Details wurden noch nicht bekannt gegeben.
Samsung PPT erwähnte auch eine SSD mit einer Kapazität von 1 PB, das voraussichtliche Erscheinungsdatum ist jedoch 2035. Darüber hinaus werden SSDs mit einer Kapazität von 256 TB zwischen 2024 und 2026 auf den Markt kommen; 512 TB werden zwischen 2027 und 2029 auf den Markt kommen und sind nur für EDSFF-E3.L-Rechenzentren geplant. Was M.2 für Verbraucher betrifft, müssen wir mindestens bis 2027 warten, um eine 16-TB-Version von Samsung zu bekommen.
Auf dieser Website wurde festgestellt, dass Samsung Electronics heute auch den Open Compute China Summit (OCP) 2024 in Peking abgehalten hat (China) erwähnte eine Reihe von Produkten, wie zum Beispiel PM1743a (32 TB/64 TB), das Ende 2023 auf den Markt kam, sowie PM9D3a auf Rechenzentrumsebene und PM1753, die auf der VNAND-Technologie der neunten Generation basieren.
Samsung Electronics‘ kommende PCIe Gen5 SSD PM1753 der neuen Generation weist im Vergleich zur Vorgängergeneration eine 1,6-fache Verbesserung der sequentiellen Schreibleistung und eine 1,3- bzw. 1,7-fache Verbesserung der zufälligen Lese- und Schreibgeschwindigkeiten auf.
Samsung sagte, dass bei der Suche nach technologischen Durchbrüchen die Bedeutung des Stromverbrauchs bei der KI-Verarbeitung nicht außer Acht gelassen werden dürfe. Am Beispiel des auf TLC-Technologie basierenden PM1753 ist seine Energieeffizienz beim sequentiellen Schreiben unter KI-Workloads 1,7-mal höher als bei der Vorgängergeneration, und die Energieeffizienz zufälliger E/A-Vorgänge in herkömmlichen Servern ist ebenfalls um das 1,6-fache verbessert. KI-Anwendungen müssen nicht nur den Stromverbrauch während I/O-Vorgängen optimieren, sondern auch den SSD-Stromverbrauch im Standby-Modus reduzieren. Der Leerlaufstromverbrauch des PM1753 wurde auf 4 W reduziert, und das Produkt der nächsten Generation plant, den Leerlaufstromverbrauch auf 2 W zu reduzieren, um Rechenzentren dabei zu helfen, Energieeinsparungs- und Emissionsreduzierungsziele zu erreichen. Der PM1753 verspricht eine hervorragende Lösung für generative KI-Serveranwendungen zu sein.
Am Ende der Rede stellte Samsung auch das Speicherprodukt HBM3E vor, das derzeit von Kunden getestet wird. Es wird erwartet, dass es eine Geschwindigkeit von bis zu 9,8 Gbit/s und eine Bandbreite von nicht weniger als 1 TB/s hat Das HBM4-Produkt wird voraussichtlich im Jahr 2025 allen Menschen zugänglich gemacht. Gleichzeitig erwähnte Samsung auch das branchenweit erste SoC (Prozessor)-basierte CMM-Produkt CMM-H, einschließlich CMM-PM und CMM-H TM, die sich jeweils mit den Anforderungen der Datenpersistenz und der Migration virtueller Maschinen befassen und leistungsstärkere Lösungen dafür bieten KI-Ära-Speicherlösung.
Das obige ist der detaillierte Inhalt vonSamsung bringt PM1753 SSD für Rechenzentren auf den Markt: 14,8 GB/s sequentielles Lesen, 3,4 Millionen zufälliges Lesen IOPS. Für weitere Informationen folgen Sie bitte anderen verwandten Artikeln auf der PHP chinesischen Website!

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Laut Nachrichten dieser Website vom 8. August stellte Samsung auf dem Flash Memory Summit (FMS) 2024 eine Vielzahl neuer SSD-Produkte vor – PM1753, BM1743, PM9D3a, PM9E1 – und testete auch die neunte Generation QLCV-NAND, TLCV-NAND und CMM-D-DRAM-, CMM-HTM-, CMM-HPM- und CMM-BCXL-Technologien wurden eingeführt. BM1743 verwendet QLC-Flash-Speicher mit einer Kapazität von bis zu 128 TB, einer kontinuierlichen Lesegeschwindigkeit von 7,5 GB/s, einer Schreibgeschwindigkeit von 3,5 GB/s, einer zufälligen Lesegeschwindigkeit von 1,6 Millionen IOPS und einer Schreibgeschwindigkeit von 45.000 IOPS 2,5-Zoll-Formfaktor und eine U.2-Schnittstelle, und im Leerlauf wird der Stromverbrauch auf 4 W reduziert, und zwar nur nach nachfolgenden OTA-Updates

Laut einer Nachricht vom 17. August hat die Quelle @ibinguniverse heute auf Weibo gepostet, dass die genaue Größe des Apple iPhone 16 Pro Max 6,88 Zoll und die genaue Größe des Galaxy S25 Ultra 6,86 Zoll beträgt. Beide können als 6,9 Zoll angesehen werden . Quellen zufolge hat das Samsung Galaxy S25 Ultra ein schmaleres Gehäuse und einen breiteren Bildschirm als das S24 Ultra, mit einem horizontalen Bildschirm-zu-Körper-Verhältnis von 94,1 %, während das horizontale Bildschirm-zu-Körper-Verhältnis des S24 Ultra 91,5 % beträgt. Fenye überprüfte das entsprechende Weibo der Quelle. Er kommentierte auch die neu belichteten Fotos des iPhone 16 Pro Max und glaubte, dass es falsch sei, sich an einer Mikrokurve zu orientieren. Das Telefon sei tatsächlich ein gerader Bildschirm + 2,5D-Glas.

Laut Nachrichten vom 23. August steht Samsung kurz vor der Markteinführung eines neuen Falthandys W25, das voraussichtlich Ende September vorgestellt wird. Es wird entsprechende Verbesserungen bei der Frontkamera unter dem Bildschirm und der Gehäusedicke mit sich bringen. Berichten zufolge wird das Samsung W25 mit dem Codenamen Q6A mit einer 5-Megapixel-Unterbildschirmkamera ausgestattet sein, was eine Verbesserung gegenüber der 4-Megapixel-Kamera der Galaxy Z Fold-Serie darstellt. Darüber hinaus werden die Frontkamera mit externem Bildschirm und die Ultraweitwinkelkamera des W25 voraussichtlich 10 bzw. 12 Millionen Pixel groß sein. Vom Design her ist das W25 im zusammengeklappten Zustand etwa 10 mm dick und damit etwa 2 mm dünner als das Standard-Galaxy Z Fold 6. In Bezug auf den Bildschirm verfügt das W25 über einen externen Bildschirm von 6,5 Zoll und einen internen Bildschirm von 8 Zoll, während das Galaxy Z Fold6 über einen externen Bildschirm von 6,3 Zoll und einen internen Bildschirm von 8 Zoll verfügt.

Laut Nachrichten dieser Website vom 16. August berichtete die Seoul Economic Daily gestern (15. August), dass Samsung zwischen dem vierten Quartal 2024 und dem ersten Quartal 2025 seine erste High-NAEUV-Lithographiemaschine von ASML installieren wird. Dies wird voraussichtlich der Fall sein Mitte 2025 in Betrieb genommen werden. Berichten zufolge wird Samsung auf seinem Hwaseong-Campus die erste ASMLTwinscanEXE:5000High-NA-Lithographiemaschine installieren, die hauptsächlich für Forschungs- und Entwicklungszwecke zur Entwicklung von Fertigungstechnologien der nächsten Generation für Logik und DRAM verwendet wird. Samsung plant, ein starkes Ökosystem rund um die High-NAEUV-Technologie aufzubauen: Neben der Anschaffung von High-NAEUV-Lithografiegeräten kooperiert Samsung auch mit dem japanischen Unternehmen Lasertec, um High-NAEUV-Lithografiegeräte speziell für High-NAEUV-Lithografiegeräte zu entwickeln.

Laut Nachrichten dieser Website vom 7. August stellte Phison auf dem FMS2024 Summit seine Pascari-Produktlinie für Solid-State-Laufwerke der Enterprise-Klasse umfassend vor. Diese Produktlinie umfasst fünf Hauptkategorien und ist auf verschiedene Unternehmens- und Rechenzentrumsanwendungen ausgerichtet. Hier finden Sie eine kurze Einführung auf dieser Website: X-Serie – Beste Leistung Die SSDs der Enterprise-Klasse der X-Serie von Phison sind „für extreme Schreibanforderungen konzipiert“. Zusätzlich zur ersten X200-Familie brachte Phison auch zwei PCIe 4.0-Produkte auf den Markt, X100P und X100E bzw. 1DWPD und 3DWPD, mit maximalen Kapazitäten von 32 TB Note 1. Sowohl X100P als auch

Die offizielle Veröffentlichung der Xiaomi Mi 15-Serie wird im Oktober erwartet, und die vollständigen Codenamen der Serie wurden in der MiCode-Codebasis ausländischer Medien veröffentlicht. Unter ihnen trägt das Flaggschiff Xiaomi Mi 15 Ultra den Codenamen „Xuanyuan“ (was „Xuanyuan“ bedeutet). Dieser Name stammt vom Gelben Kaiser in der chinesischen Mythologie, der Adel symbolisiert. Xiaomi 15 trägt den Codenamen „Dada“, während Xiaomi 15Pro den Namen „Haotian“ (was „Haotian“ bedeutet) trägt. Der interne Codename des Xiaomi Mi 15S Pro lautet „dijun“, was auf Kaiser Jun anspielt, den Schöpfergott von „The Classic of Mountains and Seas“. Abdeckungen der Xiaomi 15Ultra-Serie

Laut Nachrichten vom 10. August veröffentlichte das Technologiemedium Android Authority am 8. August einen Blogbeitrag, in dem es hieß, dass Samsung Galaxy Z Fold6 und Galaxy Z Flip 6 die ersten Falttelefone seien, die den lokalen Betrieb des Gemini Nano AI-Modells unterstützen. Laut Berichten unter Berufung auf Quellen handelt es sich bei den Modellen Galaxy AI und Gemini Nano AI zum jetzigen Zeitpunkt noch nicht um eine Integration textbasierter Funktionen , Notizhilfe, Textaufzeichnungshilfe oder Browsing-Hilfe) ) weder. Dieser Medientest kann GalaxyAI lokal ausführen, ohne das GeminiNano-Modell herunterzuladen: Samsun

Laut Nachrichten dieser Website vom 7. August stellte Phison auf dem FMS2024 Summit erstmals die neue PCIe4.0-Mastersteuerung PS5029-E29T für Endverbraucher vor und brachte das mit QLC-Flash-Speicher ausgestattete Solid-State-Laufwerk der Enterprise-Klasse PascariD200V auf den Markt . Phison gab an, dass der PS5029-E29T ein PCIe4.0×4-SSD-Master-Controller ist, der für die neueste NAND-Flash-Speichertechnologie optimiert ist, „mit dem Ziel, neue SSD-Energieeffizienz- und Leistungsstandards zu etablieren“. Der E29T verfügt über ein DRAM-loses Design, das auf dem 12-nm-Prozess von TSMC basiert, mit einem ARM Cortex R5-CPU-Kern ausgestattet ist, über 4 Flash-Speicherkanäle verfügt, 16CE unterstützt, mit einer Flash-Speicherschnittstellenrate von 3600 MT/s kompatibel ist und eine maximale Kapazität von 8 TB hat. Leistung
